[發明專利]進氣裝置及等離子體加工設備在審
| 申請號: | 201310253092.X | 申請日: | 2013-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN104233229A | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發明(設計)人: | 彭宇霖 | 申請(專利權)人: | 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝置 等離子體 加工 設備 | ||
1.一種進氣裝置,包括進氣單元和氣源,所述氣源經由所述進氣單元向反應腔室的內部提供工藝氣體;所述進氣單元包括設置在所述反應腔室頂部的中央進氣嘴,所述中央進氣嘴分別與所述氣源和反應腔室連通,用以向所述反應腔室的中心區域噴出工藝氣體;其特征在于,
所述進氣單元還包括設置在所述反應腔室的側壁上的邊緣進氣嘴組,所述邊緣進氣嘴組包括沿所述反應腔室的周向排列,且彼此相互獨立的至少兩個邊緣進氣嘴,用以向所述反應腔室的邊緣區域噴出工藝氣體。
2.根據權利要求1所述的進氣裝置,其特征在于,所述邊緣進氣嘴組的數量為一組或多組,且多組所述邊緣進氣嘴組沿豎直方向間隔排列。
3.根據權利要求1或2所述的進氣裝置,其特征在于,在每組所述邊緣進氣嘴組中,所述至少兩個邊緣進氣嘴沿所述反應腔室的周向對稱排列;或者
所述至少兩個邊緣進氣嘴根據所述反應腔室的不對稱的內部結構沿所述反應腔室的周向不對稱排列。
4.根據權利要求1或2所述的進氣裝置,其特征在于,所述氣源包括中央氣源和邊緣氣源,其中
所述中央氣源經由所述中央進氣嘴向所述反應腔室的中心區域提供工藝氣體;
所述邊緣氣源經由所述邊緣進氣嘴組向所述反應腔室的邊緣區域提供工藝氣體。
5.根據權利要求4所述的進氣裝置,其特征在于,所述邊緣氣源的數量為一個,且與所有的邊緣進氣嘴連接;或者,
所述邊緣氣源的數量為多個,且每個所述邊緣氣源與所有的所述邊緣進氣嘴中的其中至少一個連接。
6.根據權利要求5所述的進氣裝置,其特征在于,所述邊緣氣源的數量與所述邊緣進氣嘴的數量相對應,且二者一一對應地連接。
7.根據權利要求1所述的進氣裝置,其特征在于,每個所述邊緣進氣嘴包括分別與所述氣源和反應腔室連通的進氣通道,由所述氣源提供的工藝氣體經由所述進氣通道流入所述反應腔室的邊緣區域。
8.根據權利要求7所述的進氣裝置,其特征在于,所述進氣通道為兩端分別與所述氣源和反應腔室連通的直通孔,所述直通孔的軸向與豎直方向呈直角、鈍角或銳角;并且,
所述直通孔在其橫截面上的投影形狀包括圓形、橢圓形、三角形或多邊形。
9.根據權利要求7所述的進氣裝置,其特征在于,所述進氣通道包括自所述反應腔室的外部向內部依次設置的進氣部和出氣部,其中
所述進氣部為一個第一直通孔,所述第一直通孔的外端與所述氣源連通;
所述出氣部包括多個軸線相互平行的第二直通孔,且相對于所述第一直通孔的橫截面均勻分布;并且,所述多個第二直通孔的外端與所述第一直通孔的內端連通,所述多個第二直通孔的內端與所述反應腔室連通。
10.根據權利要求9所述的進氣裝置,其特征在于,所述第一直通孔的軸線與豎直方向呈直角;并且
各個第二直通孔的軸線與所述第一直通孔的軸線相互平行,或者呈銳角或鈍角。
11.根據權利要求9所述的進氣裝置,其特征在于,每個所述第二直通孔在其橫截面上的投影形狀包括圓形、橢圓形、三角形或多邊形。
12.一種等離子體加工設備,其包括反應腔室和進氣裝置,所述進氣裝置用于向反應腔室內輸送工藝氣體,其特征在于,所述進氣裝置采用權利要求1-11中任意一項所述的進氣裝置。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





