[發(fā)明專利]一種芯片表面的原子囚禁及光學(xué)晶格方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310252770.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-06-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103337271A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王正嶺;王艷麗;姜文帆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G21K1/00 | 分類號(hào): | G21K1/00 |
| 代理公司: | 南京知識(shí)律師事務(wù)所 32207 | 代理人: | 盧亞麗 |
| 地址: | 212013 *** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 芯片 表面 原子 囚禁 光學(xué) 晶格 方法 | ||
1.一種芯片表面的原子囚禁及光學(xué)晶格方法,其特征在于,激光照射鍍膜面朝上放置的鍍膜倒金字塔型棱鏡的側(cè)面,全反射引起的消逝波在金屬膜表面激發(fā)出近場(chǎng)表面等離子激元,利用近場(chǎng)表面等離子激元及其干涉光場(chǎng)對(duì)裝載進(jìn)入的中性冷原子分別實(shí)現(xiàn)有效囚禁、一維原子表面光學(xué)晶格和二維原子表面光學(xué)晶格。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片表面的原子囚禁及光學(xué)晶格方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)將鍍膜倒金字塔型棱鏡裝置安裝放置到激光光路系統(tǒng)中,要求鍍膜面朝上平行放置;
(2)調(diào)節(jié)激光光路系統(tǒng),分別采用一束激光照射鍍膜倒金字塔型棱鏡的側(cè)面,以及一對(duì)和兩對(duì)激光分別從鍍膜倒金字塔型棱鏡的相對(duì)側(cè)面入射,分別產(chǎn)生近場(chǎng)表面等離子激元、一維近場(chǎng)表面等離子激元干涉場(chǎng)和二維近場(chǎng)表面等離子激元干涉場(chǎng);
(3)利用多普勒激光冷卻和偏振梯度冷卻方法實(shí)現(xiàn)中性原子磁光阱冷原子光學(xué)粘膠;
(4)使磁光阱冷原子光學(xué)粘膠中的冷原子裝載到鍍膜倒金字塔型棱鏡的近場(chǎng)表面等離子激元、一維近場(chǎng)表面等離子激元干涉場(chǎng)和二維近場(chǎng)表面等離子激元干涉場(chǎng)中,分別實(shí)現(xiàn)原子囚禁、一維原子表面光學(xué)晶格和二維原子表面光學(xué)晶格;
(5)利用原子探測(cè)器的近共振吸收成像技術(shù)測(cè)量鍍膜倒金字塔型棱鏡表面原子的數(shù)目、密度和原子分布尺寸情況。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片表面的原子囚禁及光學(xué)晶格方法,其特征在于所述鍍膜倒金字塔型棱鏡通過(guò)下述方法制得:首先采用粗磨、精磨、拋光等加工工序把玻璃材料加工成倒金字塔型棱鏡,再采用磁控濺射方法在倒金字塔型棱鏡底面鍍上一層貴金屬薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片表面的原子囚禁及光學(xué)晶格方法,其特征在于光路系統(tǒng)由激光器、斬波器、起偏器、聚焦透鏡、擴(kuò)束透鏡、分束鏡、反射鏡組成;激光器發(fā)出的激光束先經(jīng)過(guò)斬波器和起偏器,再由聚焦透鏡聚焦和擴(kuò)束透鏡擴(kuò)束,形成一平行光束,利用分束鏡和反射鏡可以改變光束方向和根據(jù)需要產(chǎn)生多個(gè)光束。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片表面的原子囚禁及光學(xué)晶格方法,其特征在于磁光阱冷原子光學(xué)粘膠通過(guò)下述方法制得:利用四極磁阱和光學(xué)粘膠相結(jié)合的方法實(shí)現(xiàn)中性原子的多普勒激光冷卻和偏振梯度冷卻,形成磁光阱冷原子光學(xué)粘膠,此時(shí)原子溫度約為20?微開(kāi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片表面的原子囚禁及光學(xué)晶格方法,其特征在于冷原子的裝載是通過(guò)調(diào)節(jié)磁光阱冷原子光學(xué)粘膠的激光強(qiáng)度使原子在重力作用下分別裝載進(jìn)入到近場(chǎng)表面等離子激元、一維近場(chǎng)表面等離子激元干涉場(chǎng)和二維近場(chǎng)表面等離子激元干涉場(chǎng)中,分別實(shí)現(xiàn)原子囚禁、一維原子表面光學(xué)晶格和二維原子表面光學(xué)晶格。
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