[發(fā)明專利]一種微波薄膜電路的刻蝕方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310251866.5
• 申請(qǐng)日: 2013-06-21
• 公開（公告）號(hào): CN103346094A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王進(jìn);馬子騰;劉金現(xiàn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十一研究所
• 主分類號(hào): H01L21/48
• 分類號(hào): H01L21/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種微波薄膜電路的刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟(a)，提供一種介質(zhì)基片；

步驟(b)，采用真空濺射鍍膜的方法在所述介質(zhì)基片上形成一層復(fù)合金屬膜層；

步驟(c)，采用光刻的方法在所述介質(zhì)基片上附著上一層光刻膠，并去除電路圖形部分的光刻膠，保留非電路圖形部分的光刻膠；

步驟(d)，對(duì)具有光刻膠保護(hù)的所述介質(zhì)基片進(jìn)行電鍍，使電路圖形部分的鍍膜金屬層加厚到需要的厚度；

步驟(e)，對(duì)電鍍后的介質(zhì)基片進(jìn)行電鍍金屬掩膜加工，在電鍍加厚的電路圖形部分再電鍍形成一層金屬掩膜；

步驟(f)，電鍍加工完成后，去除光刻膠，并去除非電路圖形部分的金屬層，形成電路圖形；

步驟(g)，去除電路圖形附著的金屬掩膜，形成最終的電路圖形。

2.如權(quán)利要求1所述的微波薄膜電路的刻蝕方法，其特征在于，所述金屬膜層為TaN/TiW/Au復(fù)合膜層。

3.如權(quán)利要求1所述的微波薄膜電路的刻蝕方法，其特征在于，所述介質(zhì)基片為純度99.6％以上的氧化鋁基片或純度98％的氮化鋁基片或藍(lán)寶石基片，基片的厚度范圍為：0.1mm～0.65mm。

4.如權(quán)利要求1所述的微波薄膜電路的刻蝕方法，其特征在于，所述采用真空濺射鍍膜的方法在所述介質(zhì)基片上形成一層金屬膜層的步驟具體為：先用清洗劑把介質(zhì)基片表面污染物去除干凈，再用真空濺射的方法在介質(zhì)基片上形成一層TaN/TiW/Au復(fù)合膜層。

5.如權(quán)利要求4所述的微波薄膜電路的刻蝕方法，其特征在于，所述金屬膜層的厚度范圍為：0.1μm～0.4μm。

6.如權(quán)利要求1所述的微波薄膜電路的刻蝕方法，其特征在于，所述步驟(c)中的光刻方法具體為：勻膠、前烘、曝光、顯影、堅(jiān)膜。

7.如權(quán)利要求1所述的微波薄膜電路的刻蝕方法，其特征在于，所述步驟(d)中電鍍的金屬層為金層，厚度范圍為3μm～5μm。

8.如權(quán)利要求1所述的微波薄膜電路的刻蝕方法，其特征在于，所述步驟(e)中電鍍的金屬掩膜為銅層，厚度范圍為3μm～4μm。

9.如權(quán)利要求1所述的微波薄膜電路的刻蝕方法，其特征在于，所述步驟(f)中去除光刻膠步驟采用堿液去除或者等離子去膠機(jī)去除，所述去除非電路圖形部分的金屬層步驟采用刻蝕金屬層的腐蝕溶液去除或者采用等離子刻蝕機(jī)去除。

10.如權(quán)利要求8所述的微波薄膜電路的刻蝕方法，其特征在于，所述步驟(g)中采用150g/L的三氯化鐵溶液去除金屬掩膜銅層。