[發明專利]提高多晶硅片轉換效率的多晶鑄錠工藝

有效

• 申請號: 201310251678.2
• 申請日: 2013-06-21
• 公開（公告）號: CN103590102A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 楊平;王啟陽
• 申請（專利權）人: 橫店集團東磁股份有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

1.一種提高多晶硅片轉換效率的多晶鑄錠工藝，包括坩堝噴涂、裝料、熔化和晶體生長，其特征在于，晶體生長包括長晶初期、長晶中期和長晶后期，長晶初期，控制隔熱籠的打開速度為0.003-0.15cm/min，持續時間為30-180min，使隔熱籠的開度達到3-8cm；長晶中期，控制隔熱籠的打開速度為0.0075-0.009cm/min，持續15-30h；長晶后期，控制隔熱籠的打開速度為0.004--0.006cm/min，持續直到中心長晶結束，使隔熱籠的開度達到15-20cm。

2.根據權利要求1所述的提高多晶硅片轉換效率的多晶鑄錠工藝，其特征在于，所述長晶初期的溫度控制為1410-1440℃。

3.根據權利要求1或2所述的提高多晶硅片轉換效率的多晶鑄錠工藝，其特征在于，所述長晶中期結束后的溫度控制為1405-1430℃。

4.根據權利要求3所述的提高多晶硅片轉換效率的多晶鑄錠工藝，其特征在于，所述長晶后期結束后的溫度控制為1400-1423℃。

5.根據權利要求4所述的提高多晶硅片轉換效率的多晶鑄錠工藝，其特征在于，所述長晶初期的溫度控制為1435-1440℃，長晶中期結束后的溫度控制為1420-1430℃，長晶后期結束后的溫度控制為1410-1420℃。

6.根據權利要求1或2所述的提高多晶硅片轉換效率的多晶鑄錠工藝，其特征在于，所述熔化時控制爐體內溫度為1550℃，爐底溫度為1300-1380℃。

7.根據權利要求1或2所述的提高多晶硅片轉換效率的多晶鑄錠工藝，其特征在于，所述裝料時，預先在硅料底部放置一層氧化鋁晶體顆粒、SiC或單晶片。