[發明專利]碲鎘汞氣相外延材料的N型熱處理工藝方法無效
| 申請號： | 201310251547.4 | 申請日： | 2013-06-21 |
| 公開（公告）號： | CN103305918A | 公開（公告）日： | 2013-09-18 |
| 發明（設計）人： | 焦翠靈;王仍;徐國慶;林杏潮;張莉萍;邵秀華;張可鋒;杜云辰;陸液 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | C30B29/48 | 分類號： | C30B29/48;C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碲鎘汞氣相 外延 材料 熱處理 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種碲鎘汞氣相外延材料的N型熱處理工藝方法，其特征在于方法如下：在碲鎘汞材料氣相外延生長程序結束后，直接降溫到所需溫度對生長后的外延材料進行熱處理，熱處理過程中保持氫氣的流通,具體熱處理溫度及時間根據材料所處波段確定，對于組分x為0.263～0.329的中波Hg1-xCdxTe外延材料，溫度為350℃，時間為1小時；對于組分為0.231～0.254的長波Hg1-xCdxTe材料，溫度為220℃，時間為5小時。
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