[發明專利]一種低硼摻雜下高電導率氫化非晶硅薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201310251540.2
• 申請日: 2013-06-21
• 公開（公告）號: CN103346069A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 王維燕;王林青;黃金華;黃俊俊;曾俞衡;宋偉杰;譚瑞琴
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01L21/203
• 分類號: H01L21/203;H01L31/20;C23C14/35
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務所(普通合伙) 33226
• 代理人: 謝瀟

1.一種低硼摻雜下高電導率氫化非晶硅薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：采用離子束輔助磁控濺射技術，以硼原子的摻雜量為0.02~0.2at%的硼摻雜單晶硅作為磁控濺射靶材進行濺射，本底真空度為10^?4~10^?5Pa，射頻功率為100~300W，濺射氣體為氬氣和氫氣的混合氣體，濺射氣體總氣壓為0.1~0.5Pa，襯底溫度為100~400℃，以高純氬氣作為輔助離子源形成氬輔助離子束，氬輔助離子束的能量為100~800eV，束流為5~30mA，在襯底的表面濺射沉積形成薄膜的同時氬輔助離子束撞擊薄膜表面，得到低硼摻雜下高電導率a-Si:H氫化非晶硅薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種低硼摻雜下高電導率氫化非晶硅薄膜的制備方法，其特征在于所述的混合氣體中，氬氣和氫氣的流量比為1~6:2。

3.根據權利要求1或2所述的一種低硼摻雜下高電導率氫化非晶硅薄膜的制備方法，其特征在于所述的濺射氣體總氣壓為0.1~0.3Pa，所述的襯底溫度為150~350℃。

4.根據權利要求1或2所述的一種低硼摻雜下高電導率氫化非晶硅薄膜的制備方法，其特征在于所述的氬輔助離子束的能量為200~600eV，所述的束流為10~30mA。

5.根據權利要求1或2所述的一種低硼摻雜下高電導率氫化非晶硅薄膜的制備方法，其特征在于所述的高純氬氣的純度≥99.999%。

6.根據權利要求1或2所述的一種低硼摻雜下高電導率氫化非晶硅薄膜的制備方法，其特征在于所述的襯底為普通玻璃、石英玻璃或硅片。