[發明專利]一種利用原位腐蝕技術提高材料晶體質量的方法

無效

• 申請號: 201310250676.1
• 申請日: 2013-06-21
• 公開（公告）號: CN103343386A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 李淼
• 申請（專利權）人: 西安神光皓瑞光電科技有限公司;西安神光安瑞光電科技有限公司
• 主分類號: C30B25/02
• 分類號: C30B25/02
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 楊引雪

1.一種利用原位腐蝕技術提高材料晶體質量的方法，其特征在于，包括以下步驟：

1]在常規條件下進行化學氣相沉積，使襯底材料上氣相外延生長一定厚度的外延層；

2]切換常規外延生長條件至分解條件，在分解條件下步驟1生成的外延層的表面開始逐漸分解，分解一段時間之后進入步驟3處理；

3]切換分解條件至常規外延生長條件，在常規條件下對經步驟2處理的外延層繼續外延生長；

4]循環步驟2、3直到得到符合要求的低位錯密度的高品質晶體材料。

2.根據權利要求1所述的利用原位腐蝕技術提高材料晶體質量的方法，其特征在于：所述步驟1、3中所述的外延層是復合的材料層或多層材料復合后的結構。

3.根據權利要求2所述的利用原位腐蝕技術提高材料晶體質量的方法，其特征在于：對經步驟2中分解處理過的外延層采用較小原子的材料對缺陷位置進行填充，覆蓋缺陷位置進而降低位錯密度。

4.根據權利要求2所述的利用原位腐蝕技術提高材料晶體質量的方法，其特征在于：對經步驟2中分解處理過的外延層采用側向外延進行快速生長，使原有的缺陷位置形成孔洞而缺陷無法延伸到上層。

5.根據權利要求3或4所述的利用原位腐蝕技術提高材料晶體質量的方法，其特征在于：所述步驟2中分解處理過的外延層采用較小原子的材料對缺陷位置進行填充，覆蓋缺陷位置進而降低位錯密度和側向外延進行快速生長，使原有的缺陷位置形成孔洞而缺陷無法延伸到上層兩種方式交叉處理。