[發(fā)明專利]反應腔

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310250511.4
• 申請日: 2013-06-21
• 公開（公告）號: CN103320769A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設計）人: 林翔;丁大鵬
• 申請（專利權）人: 光壘光電科技（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/452;C23C16/34
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種反應腔，用于III-V族材料外延沉積的MOCVD工藝，所述反應腔包括位于所述反應腔頂部的噴淋頭和位于所述反應腔底部且正對所述噴淋頭的基座；其特征在于，所述噴淋頭上加載電勢后作為正極，所述反應腔中低于所述噴淋頭的位置還設置有一負極。

2.如權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述負極為設置于所述噴淋頭和基座之間的電極環(huán)。

3.如權利要求2所述的反應腔，其特征在于，所述電極環(huán)的內徑所圍繞的區(qū)域的面積大于所述噴淋頭的下表面的面積，使得由噴淋頭提供的反應氣體從電極環(huán)所圍繞的區(qū)域中通過。

4.如權利要求2所述的反應腔，其特征在于，所述電極環(huán)到噴淋頭的距離小于所述噴淋頭到基座的距離的1/2。

5.如權利要求4所述的反應腔，其特征在于，所述電極環(huán)到噴淋頭的距離小于所述噴淋頭到基座的距離的1/3。

6.如權利要求4所述的反應腔，其特征在于，所述電極環(huán)到噴淋頭的距離為所述噴淋頭到基座的距離的1/3。

7.如權利要求2所述的反應腔，其特征在于，所述噴淋頭的下表面和電極環(huán)之間形成電場，所述電場的電勢差為0.5V～5V。

8.如權利要求7所述的反應腔，其特征在于，所述噴淋頭和電極環(huán)之間施加穩(wěn)定電勢差。

9.如權利要求1所述的反應腔，其特征在于，所述基座加載電勢后作為所述負極。

10.如權利要求9所述的噴淋頭，其特征在于，所述噴淋頭的下表面和基座之間形成電場，所述電場的電勢差為0.5V～5V。

11.如權利要求10所述的反應腔，其特征在于，所述噴淋頭和基座之間施加穩(wěn)定電勢差。