[發明專利]一種尺寸密度可控鋁納米顆粒陣列的制備方法

有效

• 申請號: 201310250357.0
• 申請日: 2013-06-21
• 公開（公告）號: CN103320753A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 黃凱;陳雪;康俊勇;高娜;楊旭
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/14;B22F9/04
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200
• 代理人: 馬應森

1.一種尺寸密度可控鋁納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1）在E-Beam生長腔體中，放入樣品臺，然后將襯底放置于樣品臺上；

2）將鋁置于E-Beam生長腔體內，用高能電子束轟擊膜料鋁，使之表面產生很高的溫度后由固態直接升華到氣態，并沉積在襯底上，完成尺寸密度可控鋁納米顆粒陣列的制備。

2.如權利要求1所述一種尺寸密度可控鋁納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于在步驟1）中，所述樣品臺采用傾角為0～90°的紙質楔形臺或其他楔形絕緣體作為樣品臺。

3.如權利要求1所述一種尺寸密度可控鋁納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于在步驟1）中，所述襯底選自硅、二氧化硅、玻璃、石英、藍寶石、氮化鎵襯底中的一種。

4.如權利要求1所述一種尺寸密度可控鋁納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述E-Beam生長腔體內的真空度為5×10^-6Torr。

5.如權利要求1所述一種尺寸密度可控鋁納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于在步驟2）中，所述沉積的生長工作壓強為10^-5Torr，生長溫度為25～30℃，生長速率為0.1nm/s。