[發明專利]一種新型太陽能電池片的電流匯集裝置及其制備工藝無效
| 申請號: | 201310249522.0 | 申請日: | 2013-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN103325875A | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發明(設計)人: | 魏磊 | 申請(專利權)人: | 深圳市華光達科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/18 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 太陽能電池 電流 匯集 裝置 及其 制備 工藝 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能光伏技術領域,更確切地說是涉及一種新型太陽能電池片的電流匯集裝置及其制備工藝方面的發明。
背景技術
傳統太陽能電池片的發電原理是:電池片接收太陽光照射,正反面產生電壓,電池片正面細柵線收集電流后,匯聚到主柵線,在主柵線上焊接光伏焊帶,利用主柵線上的光伏焊帶將電流導出。電池片背面通過鋁漿層收集電流后,匯聚到背面主柵線,在背面主柵線上焊接光伏焊帶,利用主柵線上的光伏焊帶將電流導出。目前太陽能電池片的正面主柵線一般采用含銀量超過80%的銀漿,背面主柵線一般采用含銀量超過70%的銀漿,銀漿在電池片原材料成本中占據第二大比例,僅次于硅片,隨著近年來多晶硅提純技術的發展,硅料及硅片價格迅速下降,而銀漿因含銀比例高,價格受制于國際金屬報價,成本始終高居不下。以目前太陽能光伏行業使用量最大的多晶156毫米電池片為例,其中硅片成本約占總原材料成本的40%到60%,銀漿成本一般約占到20%到30%,由此可見,目前銀漿在太陽能電池片生產的原材料成本中占有一定的比例,將來隨著硅料技術進步,該比例還將進一步上升。
由此可見,如何減少太陽能電池片用銀量,是目前降低電池片成本的關鍵技術。
另外,目前量產的太陽能單晶及多晶電池片光電轉換效率一般在約16~20%,如何提高電池片光電轉換效率是整個光伏行業的關鍵科研領域。
有鑒于解決上述現有的常規太陽能電池片用銀量大,和提高太陽能電池片光電轉換效率的問題,本設計人基于從事此類產品設計制造多年,積有豐富的實務經驗及專業知識,積極加以研究創新,以期創設一種改進成型的新型太陽能電池片及電流匯集裝置,能夠改進一般市面上現有常規的柵線和焊帶結構,使其更具有競爭性。經過不斷的研究、設計,并經反復試作樣品及改進后,終于創設出確具實用價值的本發明。
發明內容
本發明所要解決的主要技術問題在于,克服現有太陽能電池片用銀量大的缺陷,同時提高太陽能電池片光電轉換效率,而提供一種新型結構的新型太陽能電池電流匯集裝置,使得光電轉換效率得到提高,并且降低成本。
本發明解決其主要技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本發明提出的一種新型太陽能電池片的電流匯集裝置,電流匯集裝置安裝于太陽能電池片表面,太陽能電池片的向陽的正面有至少兩條相互平行的細柵線,細柵線的材質為導電銀漿,太陽能電池片的背陰的背面有印刷上去的鋁漿層,電流匯集裝置由金屬排絲、附膜和焊帶組成,金屬排絲由至少兩條相互平行的金屬細絲組成,金屬細絲與焊帶相互垂直連接,金屬細絲貼敷于附膜表面固定成型,一片電流匯集裝置緊貼太陽能電池片的正面的表面放置,電流匯集裝置的金屬排絲與太陽能電池片正面的細柵線垂直接觸,另一片電流匯集裝置緊貼太陽能電池片的背面的表面放置,電流匯集裝置的金屬排絲與太陽能電池片的背面的鋁漿層接觸。
更好地,金屬排絲有至少2條金屬細絲組成,金屬細絲的截面為長方形,長邊為0.1毫米到0.2毫米,短邊為0.05毫米到0.2毫米,金屬細絲的長邊貼合在電池片正面的細柵線上,同樣另一套電流匯集裝置上的金屬細絲的長邊也貼合在電池片背面的鋁漿層上。
更好地,附膜的材質是PET、有機硅膠和氟硅膠的一種。
更好地,金屬排絲覆蓋的面積與太陽能電池片的面積相配套,并覆蓋住太陽能電池片。
更好地,焊帶的厚度為0.1毫米到0.5毫米,寬度為1.5毫米到10毫米。
一種制備新型太陽能電池片的電流匯集裝置的工藝,其中包括以下步驟:
a、將圓銅線鍍錫或者涂錫形成鍍錫圓銅線;
b、將步驟a得到的鍍錫圓銅線通過壓延模具壓延成為橫截面呈長方形的金屬細絲;
c、將步驟b得到的金屬細絲平行排列,并緊壓固定在附膜表面形成金屬絲附膜,并將光伏焊帶貼附在金屬絲附膜的一端上,通過附膜的粘性使光伏焊帶與多根金屬細絲緊密垂直貼合形成導電通路,從而制成電流匯集裝置;
d、將步驟c得到的電流匯集裝置分別緊貼太陽能電池片的正面及背面的表面,通過加溫層壓的方法使附膜產生粘性,將金屬細絲固定在電池片的正面及背面上,使得所述金屬細絲與太陽能電池片的正面細柵線、背面鋁漿層實現電學接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





