[發(fā)明專利]電熱冷卻器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310249122.X
• 申請(qǐng)日: 2013-06-21
• 公開（公告）號(hào): CN103515335B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R.奧特倫巴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/34;H01L23/495;H01L21/60;H01L21/50
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬永利,劉春元

1.一種半導(dǎo)體模塊，包括：

引線框，其具有第一側(cè)和相對(duì)的第二側(cè)；

半導(dǎo)體芯片，其被布置在所述引線框的第一側(cè)上方；以及

開關(guān)元件，其被布置在所述引線框的第二側(cè)下方，

密封劑， 其中所述引線框和所述半導(dǎo)體芯片被布置在所述密封劑內(nèi)，并且所述開關(guān)元件的至少與所述引線框相對(duì)的一側(cè)不被所述密封劑所覆蓋，

其中所述開關(guān)元件具有面對(duì)所述引線框的第一表面以及用于安裝熱沉的相對(duì)的第二表面，其中所述開關(guān)元件被配置為當(dāng)所述半導(dǎo)體芯片處于接通狀態(tài)時(shí)將所述半導(dǎo)體芯片與所述熱沉電耦合并且當(dāng)所述半導(dǎo)體芯片處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)將所述半導(dǎo)體芯片與所述熱沉電隔離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述半導(dǎo)體芯片包括通過所述引線框的引線耦合到外部電位節(jié)點(diǎn)的接觸區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述半導(dǎo)體芯片包括通過所述開關(guān)元件耦合到外部電位節(jié)點(diǎn)的接觸區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述開關(guān)元件包括二極管。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述二極管包括半導(dǎo)體二極管。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述半導(dǎo)體二極管包括硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述二極管包括碳基半導(dǎo)體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述引線框包括所述半導(dǎo)體芯片被布置在其上方的管芯葉片，其中所述管芯葉片具有第一覆蓋區(qū)并且所述開關(guān)元件具有第二覆蓋區(qū)，其中第一覆蓋區(qū)與第二覆蓋區(qū)大約相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體模塊，還包括布置在所述開關(guān)元件下方的熱沉。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述開關(guān)元件被布置在所述熱沉內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體模塊，其中，所述半導(dǎo)體芯片包括源極/發(fā)射極區(qū)域和漏極/集電極區(qū)域，其中所述漏極/集電極區(qū)域被電耦合到所述開關(guān)元件的第一端子，以及其中所述開關(guān)元件的第二端子被電耦合到所述熱沉。

12.一種半導(dǎo)體模塊，包括：

第一分立半導(dǎo)體器件，其包括第一引線和第二引線；以及

具有第一端子和第二端子的第一開關(guān)元件，第一開關(guān)元件的第一端子被電耦合并且熱耦合到第一分立半導(dǎo)體器件，第一開關(guān)元件被配置成傳導(dǎo)熱離開第一分立半導(dǎo)體器件，

密封劑， 其中所述第一分立半導(dǎo)體器件被布置在所述密封劑內(nèi)，并且所述開關(guān)元件的至少一側(cè)不被所述密封劑所覆蓋，

其中所述第一開關(guān)元件被配置為當(dāng)所述第一分立半導(dǎo)體器件處于關(guān)斷狀態(tài)時(shí)將所述第一分立半導(dǎo)體器件與布置在所述第一開關(guān)元件以下的熱沉電隔離，其中所述第一開關(guān)元件被配置為當(dāng)所述第一分立半導(dǎo)體器件處于接通狀態(tài)時(shí)將所述第一分立半導(dǎo)體器件與所述熱沉電耦合。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體模塊，其中，第一引線是源極/發(fā)射極引線，以及其中第二引線是漏極/集電極引線。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體模塊，其中，第一開關(guān)元件包括分立二極管。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體模塊，還包括第二分立半導(dǎo)體器件，其包括第三引線和第四引線，第二引線和第四引線被耦合到第一電位節(jié)點(diǎn)，其中第二引線通過第一開關(guān)元件被耦合到第一電位節(jié)點(diǎn)。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體模塊，其中，第一引線是第一源極/發(fā)射極引線，其中第二引線是第一漏極/集電極引線，其中第三引線是第二源極/發(fā)射極引線，以及其中第四引線是第二漏極/集電極引線。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體模塊，還包括具有第一端子和第二端子的第二開關(guān)元件，第二開關(guān)元件的第一端子被耦合到第四引線。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體模塊，其中，第一分立半導(dǎo)體器件包括分立絕緣柵雙極型晶體管，以及其中第二分立半導(dǎo)體器件還包括分立絕緣柵雙極型晶體管。

19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體模塊，其中，第一分立半導(dǎo)體器件包括分立金屬絕緣體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以及其中第二分立半導(dǎo)體器件還包括分立金屬絕緣體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。