[發明專利]監視器結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201310248554.9
• 申請日: 2013-06-21
• 公開（公告）號: CN103515310A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: A.比爾納;T.赫齊希
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/66
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;劉春元

1.一種形成電子器件的方法，所述方法包括：

在工件中形成第一開口和第二開口，所述第一開口比所述第二開口更深；和

在所述第一開口內形成填充材料以形成貫穿過孔的一個部分并且在所述第二開口內形成所述填充材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二開口被置放在所述工件的半導體區域中。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述工件包括半導體晶圓。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述工件包括在封裝劑中包括多個管芯的重構晶圓，并且其中形成第一開口包括在所述封裝劑中形成所述第一開口。

5.根據權利要求1所述的方法，其中包括所述填充材料的所述第二開口被用于監視所述貫穿過孔的形成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中使用公共工藝在所述第一開口和所述第二開口中形成所述填充材料。

7.根據權利要求1所述的方法，其中同時地在所述第一開口和所述第二開口中形成所述填充材料。

8.根據權利要求1所述的方法，進一步包括測量所述第二開口中的所述填充材料的填充高度。

9.根據權利要求8所述的方法，進一步包括基于所述測量改變用于在所述第一開口中形成所述填充材料的時間。

10.根據權利要求8所述的方法，進一步包括：

提供第二工件；和

基于所述測量在所述第二工件的開口內形成填充材料。

11.根據權利要求1所述的方法，進一步包括薄化所述工件。

12.一種形成半導體器件的方法，所述方法包括：

形成用于在第一工件中的貫穿過孔的第一開口和用于監視器結構的第二開口，所述第一開口比所述第二開口更深；

在所述第二開口內沉積填充材料直至填充深度；和

使用在所述第二開口內的所述填充深度的測量，在所述第一開口內沉積所述填充材料。

13.根據權利要求12所述的方法，其中在于所述第一開口內沉積所述填充材料之后，所述第一開口被所述填充材料部分地填充。

14.根據權利要求12所述的方法，其中所述第二開口在所述第一工件中形成。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述填充材料在公共工藝步驟中在所述第一開口和所述第二開口內沉積，并且其中基于所述測量停止所述填充材料在所述第一開口內的沉積。

16.根據權利要求12所述的方法，其中所述第二開口在第二工件中形成。

17.根據權利要求12所述的方法，其中所述第一工件包括在封裝劑中包括多個管芯的重構晶圓，并且其中形成第一開口包括在所述封裝劑中形成所述第一開口。

18.根據權利要求12所述的方法，其中所述第一工件包括半導體晶圓，并且其中形成第一開口包括在所述半導體晶圓中形成所述第一開口。

19.一種電子器件，包括：

置放在工件中的功能性傳導結構；和

置放在所述工件中的非功能性監視器結構，其中所述監視器結構被配置用于在監視所述功能性傳導結構的制造時使用。

20.根據權利要求19所述的電子器件，其中所述功能性傳導結構是置放在所述工件中的貫穿過孔。

21.根據權利要求20所述的電子器件，其中所述功能性傳導結構的關鍵尺度大約與所述監視器結構的關鍵尺度相同。

22.根據權利要求20所述的電子器件，其中所述功能性傳導結構包括具有小于所述功能性傳導結構的高度的填充高度的填充材料。

23.根據權利要求22所述的電子器件，其中所述功能性傳導結構的填充高度與所述監視器結構的高度的比率是大約10：1到大約2：1。

24.根據權利要求19所述的電子器件，進一步包括置放在所述工件中的多個貫穿過孔，其中所述監視器結構被配置為用于監視所述多個貫穿過孔的制造。

25.根據權利要求24所述的電子器件，其中所述工件包括用于至少一百個所述多個貫穿過孔的至少一個監視器結構。