[發(fā)明專(zhuān)利]對(duì)存儲(chǔ)在閃存中的數(shù)據(jù)有地址RAM的模擬電可擦存儲(chǔ)器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310247508.7
• 申請(qǐng)日: 2013-06-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103514953B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R·S·斯考勒;F·K·小巴克爾;R·J·西茲代克
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 恩智浦美國(guó)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/14
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/14
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所11038
• 代理人: 秦晨

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明通常涉及存儲(chǔ)系統(tǒng)，更具體地說(shuō)，涉及模擬電可擦(EEE)存儲(chǔ)器。

背景技術(shù)

模擬電可擦(EEE)存儲(chǔ)器通常使用隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）和非易失性存儲(chǔ)器，例如被電可擦合并以給與該RAM有可比大小的存儲(chǔ)器提供帶有超過(guò)普通非易失性存儲(chǔ)器的增強(qiáng)的忍耐力的存儲(chǔ)系統(tǒng)的閃存存儲(chǔ)器。這是通過(guò)使用遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于RAM的非易失性存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)的，但EEE存儲(chǔ)器的操作就像它僅僅是RAM的大小。因此EEE存儲(chǔ)器模擬從被EEE存儲(chǔ)器使用的但是在忍耐力方面有增加的尺寸減小的電可擦存儲(chǔ)器。

EEE存儲(chǔ)器使用RAM以顯示模擬存儲(chǔ)器的內(nèi)容，但是當(dāng)刻意的模擬EE編程變得大時(shí)開(kāi)始變得沒(méi)有競(jìng)爭(zhēng)性。RAM模擬意味著通過(guò)基于方法論的搜索的緩慢的訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間。

因此，有必要提供改進(jìn)了上述描述的問(wèn)題的EEE存儲(chǔ)器以允許非易失性存儲(chǔ)器能夠與電可擦只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)競(jìng)爭(zhēng)。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明通過(guò)舉例說(shuō)明并不被附圖所限制。在附圖中，相同的參考符號(hào)表示相同的元素。對(duì)圖中的元素的示出是為了簡(jiǎn)便和清晰并不一定按比例繪制。

圖1以方框圖的形式示出了對(duì)從閃存存儲(chǔ)器陣列讀取數(shù)據(jù)有用的系統(tǒng)的實(shí)施例。

圖2示出了可以被用在圖1的系統(tǒng)中的全地址記錄的實(shí)施例。

圖3示出了可以被用在圖1的系統(tǒng)中的地址系統(tǒng)記錄的實(shí)施例。

圖4示出了可以被用在圖1的系統(tǒng)中的地址隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的實(shí)施例。

圖5示出了可以被用在圖1的系統(tǒng)中的閃存存儲(chǔ)器陣列的數(shù)據(jù)部分的實(shí)施例。

圖6示出了可以被用在圖5的閃存存儲(chǔ)器陣列的數(shù)據(jù)部分的記錄狀態(tài)格式的實(shí)施例。

圖7示出了可以被用在圖5的閃存存儲(chǔ)器陣列的數(shù)據(jù)部分的數(shù)據(jù)塊的格式的實(shí)施例。

圖8以方框圖的形式示出了對(duì)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入閃存存儲(chǔ)器陣列有用的系統(tǒng)的另一實(shí)施例。

圖9以流程圖的形式示出了一種使用圖8的系統(tǒng)執(zhí)行寫(xiě)入操作的方法的實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

一方面，模擬電可擦(EEE)存儲(chǔ)器有被分成多個(gè)分區(qū)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）和用于存儲(chǔ)NVM地址信息的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）。地址信息被存儲(chǔ)在一種類(lèi)型的RAM存儲(chǔ)器中；所述RAM存儲(chǔ)器允許在兩個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)訪(fǎng)問(wèn)保持在NVM中的數(shù)據(jù)記錄。NVM和地址RAM相互協(xié)作以防止可能在電涌或在記錄生成期間的降落期間發(fā)生的數(shù)據(jù)丟失。結(jié)合突發(fā)程序模式，分布式壓縮/擦除操作可以被實(shí)施以允許對(duì)命令的快速響應(yīng)。參照附圖和以下的說(shuō)明書(shū)可對(duì)此有更好的理解。

在一個(gè)實(shí)施例中，閃存存儲(chǔ)器被用作NVM。在一個(gè)例子中，正如本發(fā)明所使用的，編程指將邏輯電平“0”存儲(chǔ)到位單元，而擦除指將邏輯電平“1”存儲(chǔ)到位單元。然而，在替代實(shí)施例中，編程可以指將邏輯電平“1”存儲(chǔ)到位單元，而擦除可以指將邏輯電平“0”存儲(chǔ)到位單元。邏輯電平“0”也可以被稱(chēng)為邏輯低，而邏輯電平“1”也可以被稱(chēng)為邏輯高。

當(dāng)將信號(hào)、狀態(tài)位、或類(lèi)似的裝置分別變?yōu)槠溥壿嬚婊蜻壿嫾贍顟B(tài)的時(shí)侯，術(shù)語(yǔ)“斷言”或“設(shè)置”和“否定”（或“去斷言”或“清除”）在本發(fā)明中被使用。如果邏輯真狀態(tài)是邏輯電平“1”，邏輯假狀態(tài)是邏輯電平“0”。如果邏輯真狀態(tài)是邏輯電平“0”，邏輯假狀態(tài)是邏輯電平“1”。

圖1以方框圖的形式示出了對(duì)從閃存存儲(chǔ)器108讀取數(shù)據(jù)有用的處理系統(tǒng)100的實(shí)施例，包括處理器102、以及使用非易失性閃存存儲(chǔ)器陣列108和地址RAM106的EEE存儲(chǔ)器系統(tǒng)114。EEE存儲(chǔ)器系統(tǒng)114包括存儲(chǔ)器控制器104、地址RAM106、以及閃存陣列108（也可以被稱(chēng)為NVM陣列，其中任何類(lèi)型的NVM可以代替閃存存儲(chǔ)器被使用）。閃存陣列108可以包括一個(gè)或多個(gè)數(shù)據(jù)段110和一個(gè)或多個(gè)地址系統(tǒng)112。可以被認(rèn)為是易失性存儲(chǔ)器的RAM106雙向耦合于存儲(chǔ)器控制器104。存儲(chǔ)器控制器104被耦合以接收來(lái)自處理器102的全地址記錄和來(lái)自地址系統(tǒng)112的更新的數(shù)據(jù)塊地址。存儲(chǔ)器控制器104被進(jìn)一步耦合以給地址RAM106提供查找地址以及給門(mén)116提供相應(yīng)的數(shù)據(jù)部分位置。重置信號(hào)被提供給處理器102和存儲(chǔ)器控制器104。該重置信號(hào)例如可以是系統(tǒng)100的全局重置信號(hào)。門(mén)116接收來(lái)自地址RAM106的數(shù)據(jù)部分地址，并且將數(shù)據(jù)部分地址和數(shù)據(jù)塊中的相應(yīng)的位置進(jìn)行合并，并且發(fā)送合并的地址/塊位置信號(hào)以訪(fǎng)問(wèn)相應(yīng)的數(shù)據(jù)塊和在數(shù)據(jù)段110中的特定數(shù)據(jù)塊內(nèi)的位置。