[發明專利]電激發光顯示面板及其制造方法有效
| 申請號: | 201310247067.0 | 申請日: | 2013-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN103441137A | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發明(設計)人: | 奚鵬博;陳鈺琪 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激發 顯示 面板 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種電激發光顯示面板及其制造方法,尤其是涉及一種具有較低寄生電容與制造成本的電激發光顯示面板以及可準確對位及簡化制造工程的電激發光顯示面板的制造方法。
背景技術
電激發光顯示面板(electroluminescent?display?panel)由于具有不需彩色濾光片(color?filter)、可自發光(不需背光模塊)以及低耗電等特性,長久以來被期望可取代液晶顯示面板成為下一世代的顯示技術主流。然而,由于現有電激發光顯示面板受限于制造成本過高、寄生電容過大與制造工程復雜等問題,使得電激發光顯示面板仍無法普及。另外,現有大尺寸的電激發光顯示面板已逐漸使用氧化物半導體元件作為驅動元件,然而氧化物半導體層為透明膜層,在微影制造工程中無法準確對位,也使得電激發光顯示面板的良率無法進一步提高。
發明內容
本發明的目的之一在于提供一種電激發光顯示面板及其制造方法,以使得氧化物半導體層在微影制造工程中可準確對位,并減少相鄰的導線之間的寄生電容,以及使開關薄膜晶體管元件與驅動薄膜晶體管元件的元件特性維持穩定。
本發明的一實施例提供一種電激發光顯示面板,包含一基板以及一個或多個像素結構。像素結構設置于基板上,且像素結構至少包括一第一多層結構層、一第二多層結構層、一保護層、一第三圖案化導電層、一發光層以及一第二電極部。第一多層結構層設置于基板上,其中第一多層結構層包括一第一圖案化導電層、一堆棧于第一圖案化導電層上的第一圖案化絕緣層以及一堆棧于第一圖案化絕緣層上的氧化物半導體層,且第一圖案化導電層、第一圖案化絕緣層與氧化物半導體層實質上具有相同的形狀。第一多層結構層至少具有一數據線部、一第一電容部、一第二電容部、一第一部分、一第二部分、一第一連接部、一第二連接部以及一第一延伸部。第一連接部位于第一部分與第二電容部之間且連接第一部分與第二電容部,第二連接部位于第二部分與第二電容部之間且連接第二部分與第二電容部,以及第一延伸部連接第一電容部,其中第一部分具有一第一源極區、一第一漏極區以及一位于第一源極區與第一漏極區間的第一通道區,以及第二部分具有一第二源極區、一第二漏極區以及一位于第二源極區與第二漏極區間的第二通道區。第二多層結構層設置于第一多層結構層上,其中第二多層結構層包括一第二圖案化絕緣層、以及一堆棧于第二圖案化絕緣層上的第二圖案化導電層,且第二圖案化絕緣層以及第二圖案化導電層實質上具有相同的形狀。第二多層結構層至少具有一掃描線部、一第一柵極部、一第二柵極部、一第三電容部、一第四電容部、一第二延伸部以及一第一電源線部。第一柵極部連接掃描線部且延伸至第一部分,第二柵極部連接第三電容部且延伸至第二部分,第三電容部堆棧于第一電容部上,第四電容部堆棧于第二電容部上,以及第二延伸部連接第三電容部且延伸至第一連接部。保護層設置且覆蓋于第一多層結構層、第二多層結構層以及基板上。保護層具有一暴露出數據線部的部分頂面與部分側面的第一接觸洞、一暴露出部分第一部分的漏極區的第二接觸洞、一暴露出部分第一部分的源極區的第三接觸洞、一暴露出部分第二延伸部的第四接觸洞、至少一分別暴露出部分第二部分的第二源極區、部分第四電容部與部分第一延伸部的第五接觸洞、一暴露出部分第二部分的該第二漏極區的第六接觸洞、以及一暴露出部分第一電源線部的第七接觸洞。第三圖案化導電層設置于保護層上。第三圖案化導電層具有一第一漏極、第一源極、一第一電極部、一第二漏極以及一第二源極,其中第一漏極經由第一接觸洞與數據線部接觸以及第二接觸洞與第一部分的第一漏極區接觸,第一源極經由第三接觸洞與第一部分的第一源極區接觸以及第四接觸洞與第二延伸部接觸,第一電極部設置于第三電容部及第四電容部上并與第二源極連接,第二源極經由第五接觸洞分別接觸第二部分的第二源極區、第四電容部以及第一延伸部,以及第二漏極經由第六接觸洞與第七接觸洞分別接觸第二部分的第二漏極區與第一電源線部。發光層設置于第一電極部上。第二電極部設置于發光層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





