[發明專利]一種陣列基板、顯示裝置及陣列基板的修復方法

有效

• 申請號: 201310246883.X
• 申請日: 2013-06-20
• 公開（公告）號: CN103353679A
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: 賈丕健;尹雄宣;郝昭慧
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13;G02F1/136
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板，包括設置有引線的外圍電路，其特征在于，包括：

設置于所述外圍電路所在層之上的絕緣層，設置于所述絕緣層之上的引線修復層；

所述引線修復層包括至少兩條沿所述外圍電路的引線排列方向延伸的公共修復線，且相鄰的兩條所述公共修復線之間設置有若干條與之電連接的修復線。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層上還設置有用于電連接所述公共修復線與公共電極的過孔。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述公共修復線中的至少兩條，分別設置于鄰近所述外圍電路的引線兩端的設定區域內。

4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述修復線的數量與所述外圍電路的引線的數量和位置一一對應。

5.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述修復線的數量少于所述外圍電路的所述引線的數量，相鄰兩條所述修復線之間包括至少兩條外圍電路的引線。

6.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述修復線與所述公共修復線垂直；或者，所述修復線與所述外圍電路的引線的一部分線段的方向平行。

7.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共修復線和所述修復線為金屬Cr、W、Cu、Ti、Ta、Mo或ITO。

8.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層為氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一種，或是上述至少兩種薄膜的復合結構。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1至8任一項所述的陣列基板。

10.一種陣列基板的修復方法，應用于權利要求1-8任一所述的陣列基板，其特征在于，步驟如下：

S21、當所述外圍電路的引線發生斷裂時，將斷裂的所述外圍電路的引線從斷裂點處斷開的兩端與所述公共修復線的交疊處進行熔接，形成使所述斷裂的外圍電路的引線與所述公共修復線電連接的第一熔接點和第二熔接點；

S22、選擇一條連接所述第一熔接點至所述第二熔接點距離最短的所述修復線，形成所述第一熔接點至所述第二熔接點的連接線，并將所述連接線與所述公共修復線斷開，用所述連接線作為所述斷裂的外圍電路的引線。

11.如權利要求10所述的一種陣列基板的修復方法，其特征在于，步驟S21中進行熔接的所述公共修復線，為與斷裂點處斷開的兩端距離最近的兩條公共修復線。