[發明專利]發光元件有效
| 申請號: | 201310246815.3 | 申請日: | 2008-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN103325897A | 公開(公告)日: | 2013-09-25 |
| 發明(設計)人: | 徐大正;蔡孟倫 | 申請(專利權)人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/02 | 分類號: | H01L33/02 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 屈玉華 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 元件 | ||
1.一種發光元件,包含
一外延結構,該外延結構包含:
發光層;
第一導電型局限層,位于該發光層上;
第二導電型局限層,位于該發光層下,
其中該第一導電型局限層的厚度不等于該第二導電型局限層的厚度,該發光層所產生的光線的光強度沿該外延結構生長方向分布變化,其中最大光強度位于發光層以外的區域。
2.如權利要求1所述的發光元件,其中該光強度分布變化包含峰值區域,且該峰值區域的光強度大于該最大光強度的百分之九十。
3.如權利要求1所述的發光元件,還包含基板,位于該外延結構下。
4.如權利要求1所述的發光元件,其中該外延結構還包含:
第一導電型包覆層與第二導電型包覆層,分別位于該第一導電型局限層上與該第二導電型局限層下。
5.如權利要求4所述的發光元件,其中該發光層具有第一折射率n1;該第一導電型局限層與該第二導電型局限層具有第二折射率n2;該第一導電型包覆層與該第二導電型包覆層具有第三折射率n3;其中,該第一折射率n1、該第二折射率n2以及該第三折射率n3滿足n1>n2>n3的關系。
6.如權利要求4所述的發光元件,其中該第一導電型局限層厚度與該第二導電型局限層厚度比約為2至200或1/2至1/200。
7.如權利要求4所述的發光元件,其中該外延結構還包含第一導電型窗戶層與第二窗戶層,分別位于該第一導電型包覆層上與該第二導電型包覆層下,其中該第一導電型窗戶層的出光面與該第二導電型窗戶層的下表面為粗化表面。
8.如權利要求1所述的發光元件,其中該發光層的光局限因子小于百分之六十。
9.如權利要求1所述的發光元件,其中該發光層為多重量子阱結構。
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