[發明專利]用于奇數個處理模塊的均等氣體分配的系統、方法及裝置

無效

• 申請號: 201310246762.5
• 申請日: 2013-06-20
• 公開（公告）號: CN103510071A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 卡爾-漢斯·吳;埃德溫·平克
• 申請（專利權）人: TEL太陽能公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;H01L21/67
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 朱勝;陳煒

1.一種裝置，包括：

奇數個三個或更多個處理模塊，其被配置成根據處理襯底的暴露表面的實質上相同的處理條件來進行操作，所述處理條件包括到每個處理模塊的處理氣體的流量；以及

第一氣體管道分支網絡，其被布置成使所述處理氣體的第一組分流動至所述奇數個三個或更多個處理模塊中的每一個處理模塊，

其中所述第一氣體管道分支網絡包括：

第一共用入口點，所述處理氣體的所述第一組分從所述第一共用入口點被分配至所述奇數個三個或更多個處理模塊，所述第一共用入口點耦接到至少一個質量流量控制器的出口，以及

多個分支，其具有相對于相鄰處理模塊上的第一相同參考點之間的間距而設計的管道長度，使得所述處理氣體的基本上均等流量的所述第一組分從所述第一共用入口點傳遞至所述奇數個三個或更多個處理模塊中的每一個處理模塊處的排放點。

2.根據權利要求1所述的裝置，還包括：

第二氣體管道分支網絡，其被布置成使所述處理氣體的第二組分流動至所述奇數個三個或更多個處理模塊中的每一個處理模塊，

其中所述第二氣體管道分支網絡包括：

第二共用入口點，所述處理氣體的所述第二組分從所述第二共用入口點被分配至所述奇數個三個或更多個處理模塊，所述第二共用入口點耦接到至少一個質量流量控制器的出口，以及

多個分支，其具有相對于相鄰處理模塊上的第二相同參考點之間的間距而設計的管道長度，使得所述處理氣體的基本上均等流量的所述第二組分傳遞至所述奇數個三個或更多個處理模塊中的每一個處理模塊。

3.根據權利要求2所述的裝置，還包括：

加載鎖定室，其耦接至所述奇數個三個或更多個處理模塊并且被配置成在真空下向所述奇數個三個或更多個處理模塊提供一個或多個襯底，

其中所述奇數個三個或更多個處理模塊被配置成在直列式真空沉積系統中串聯地操作。

4.根據權利要求3所述的裝置，還包括：

處理氣體供應系統，其被配置成供應所述處理氣體的所述第一組分和所述處理氣體的所述第二組分。

5.根據權利要求4所述的裝置，其中所述處理氣體的所述第一組分包括金屬有機膜前體。

6.根據權利要求4所述的裝置，其中，所述處理氣體的所述第一組分包括二乙基鋅（DEZ），并且所述處理氣體的所述第二組分包括水。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中所述處理氣體的所述第一組分包括含氫氣體、含硼氣體或含氫氣體和含硼氣體兩者。

8.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第一氣體管道分支網絡的氣體管道分支具有相同的橫截面積。

9.根據權利要求1所述的裝置，其中所述第一氣體管道分支網絡被設計配置成從所述第一共用入口點至所述奇數個三個或更多個處理模塊中的每一個處理模塊處的所述排放點具有基本上相同的壓降。

10.一種用于襯底的直列式真空處理的裝置，包括：

至少一個加載鎖定室；

第一處理模塊，其被配置成根據處理襯底的暴露表面的第一處理條件來進行操作，所述第一處理條件包括到所述第一處理模塊的第一處理氣體的流量；

奇數個三個或更多個第二處理模塊，其被配置成根據處理襯底的暴露表面的實質上相同的第二處理條件來進行操作，所述第二處理條件包括到所述第二處理模塊中的每一個處理模塊的第二處理氣體的流量；以及

第一氣體管道分支網絡，其被布置成使所述第二處理氣體的第一組分流動至所述奇數個三個或更多個第二處理模塊中的每一個處理模塊，

其中所述第一氣體管道分支網絡包括：

第一共用入口點，所述第二處理氣體的所述第一組分從所述第一共用入口點被分配至所述奇數個三個或更多個第二處理模塊，所述第一共用入口點耦接到至少一個質量流量控制器的出口，以及

多個分支，其具有相對于相鄰的第二處理模塊上的相同參考點之間的間距而設計的管道長度，使得所述第二處理氣體的基本上均等流量的第一組分傳遞至所述奇數個三個或更多個第二處理模塊中的每一個處理模塊。