[發明專利]一種設置N-SLS層的GaN基發光二極管外延片

無效

• 申請號: 201310246149.3
• 申請日: 2013-06-20
• 公開（公告）號: CN103346222A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 蘆玲;張向飛;錢仁海;劉堅
• 申請（專利權）人: 淮安澳洋順昌光電技術有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06
• 代理公司: 淮安市科文知識產權事務所 32223
• 代理人: 謝觀素

技術領域

本發明涉及LED外延片技術領域，具體涉及一種設置N-SLS層的GaN基發光二極管外延片。

背景技術

目前，藍綠光發光二極管的主流是在藍寶石或碳化硅襯底上生長GaN材料，其中絕大部分采用藍寶石作為襯底，由于藍寶石襯底與GaN材料之間較大的晶格失配與熱失配，導致GaN外延層內產生高密度的缺陷，例如穿透位錯。實驗證明這些缺陷是III族氮化物基發光二極管中反向漏電電流產生的一個重要途徑。現有的外延片在生產過程中，通常是在生長完N型GaN層后直接生長MQW發光層InGaN/GaN的多量子阱層,導致發光效率低，抗靜電能力差。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種設置N-SLS層的GaN基發光二極管外延片，該技術方案有效解決傳統外延片抗靜電能力差，從而導致芯片擊穿和發光效率低的問題。

本發明通過以下技術方案實現：

一種設置N-SLS層的GaN基發光二極管外延片，包括藍寶石襯底層（1）、Buffer—緩沖層（2）、N型GaN層（3）、MQW發光層（5）以及P型GaN層（6），其特征在于：所述MQW發光層（5）與N型GaN層（3）之間設置有N—SLS層（4），N—SLS層（4）、MQW發光層（5）構成發光區（7）。

本發明進一步技術改進方案是：

所述N—SLS層（6）為GaN/InGaN超晶格層,?厚度為20nm；所述GaN/InGaN超晶格層為參雜硅的GaN/InGaN超晶格材料制成。

本發明與現有技術相比，具有以下明顯優點：本發明在傳統外延片的生長完N型GaN層后生長一層N—SLS層，然后再生長MQW發光層InGaN/GaN的多量子阱層，N—SLS層、MQW發光層構成發光區，不但改善了量子阱界面質量，增強了量子阱發光強度，提高了GaN基LED芯片的發光效率，而且提升了抗靜電能力，避免芯片擊穿的問題。

附圖說明

圖1為本發明的結構示意圖；

圖1中11為藍寶石襯底層；2為Buffer—緩沖層；3為N型GaN層；4為N—SLS層；5為MQW發光層；6為P型GaN層；7為發光區。

具體實施方式

如圖1所示，本發明一種設置N-SLS層的GaN基發光二極管外延片，包括藍寶石襯底層1、Buffer—緩沖層2、N型GaN層3、MQW發光層5以及P型GaN層6，所述MQW發光層5與N型GaN層3之間設置有N—SLS層4，N—SLS層4、MQW發光層5構成發光區7，所述N—SLS層6為GaN/InGaN超晶格層,?厚度為20nm，所述GaN/InGaN超晶格層為參雜硅的GaN/InGaN超晶格材料制成。

本發明未涉及部分均與現有技術相同或可采用現有技術加以實現。