[發明專利]光掩模基板以及光掩模制作方法

有效

• 申請號: 201310245718.2
• 申請日: 2007-03-09
• 公開（公告）號: CN103324027A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 吉川博樹;稻月判臣;岡崎智;原口崇;佐賀匡;小島洋介;千葉和明;福島佑一
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社;凸版印刷株式會社
• 主分類號: G03F1/60
• 分類號: G03F1/60;G03F1/26
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李躍龍

1.一種光掩模基板，由它制造光掩模，該光掩模包括透明襯底和在其上形成的包括對曝光光是透明的區域和有效地不透明的區域的掩模圖案，所述光掩模用于在光刻中形成0.1μm或更小的抗蝕圖案特征，所述光刻包括暴露于波長等于或小于250nm的光，所述光掩模基板包括

透明襯底，

設置在襯底上的光屏蔽膜，任選介于它們之間的另一膜，所述光屏蔽膜具有單層結構或多層結構且包含易于氟干法蝕刻的金屬或金屬化合物，

形成于所述光屏蔽膜上的蝕刻掩模膜，所述蝕刻掩模膜包含耐氟干法蝕刻的金屬或金屬化合物，和

設置在蝕刻掩模膜上的減反射膜，其降低光掩模的表面反射率且阻止曝光光在光掩模表面上的反射，所述減反射膜包含耐氟干法蝕刻的金屬或金屬化合物，其中

所述光屏蔽膜由如下組成：僅硅，包含硅和至少一種選擇氧、氮和碳的元素的硅化合物，或過渡金屬硅化合物；

所述蝕刻掩模膜由如下組成：僅鉻，包含鉻和至少一種選擇氧、氮和碳的元素的鉻化合物，僅鉭，包含鉭且不含硅的鉭化合物，或包含鉻且不含硅的鉻化合物，

所述減反射膜由如下組成：僅鉻，包含鉻和至少一種選擇氧、氮和碳的元素的鉻化合物，或包含鉻且不含硅的鉻化合物，

所述減反射膜包含與在所述蝕刻掩模膜中相同的金屬，和

所述減反射膜和所述蝕刻掩模膜由不同元素組成或者由不同組成比的相同元素組成。

2.權利要求1的光掩模基板，其中所述光屏蔽膜、蝕刻掩模膜和減反射膜是鄰接層疊的。

3.權利要求1的光掩模基板，其中所述光屏蔽膜在氟干法蝕刻中相對于所述蝕刻掩模膜具有至少2的選擇比。

4.權利要求1的光掩模基板，其中所述透明襯底在氟干法蝕刻中相對于所述蝕刻掩模膜具有至少10的選擇比。

5.根據權利要求1的光掩模基板，其中所述蝕刻掩模膜的所述鉻化合物包含至少50原子％的鉻。

6.權利要求1的光掩模基板，其中所述過渡金屬是從鈦、釩、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、鉿、鉭和鎢中選出的至少一種元素。

7.根據權利要求1的光掩模基板，其中所述光屏蔽膜包括過渡金屬和硅，

所述蝕刻掩模膜與所述光屏蔽膜鄰接設置，且包含鉻含量至少50原子％的鉻，以及

所述減反射膜與所述蝕刻掩模膜鄰接設置，且包含鉻含量小于50原子％的鉻和氧。

8.權利要求1的光掩模基板，其中所述過渡金屬是鉬。

9.權利要求1的光掩模基板，其中所述光屏蔽膜還包含氮含量從5原子％到40原子％的氮。

10.權利要求1的光掩模基板，其中所述蝕刻掩模膜具有2到30nm的厚度。

11.權利要求1的光掩模基板，其中相移膜插入在層疊的膜之間作為所述另一膜。

12.權利要求11的光掩模基板，其中所述相移膜是半色調相移膜。

13.一種制備光掩模的方法，包括使權利要求1的光掩模基板形成圖案。

14.權利要求13的方法，包括通過作為蝕刻掩模的所述蝕刻掩模膜氟干法蝕刻所述光屏蔽膜。

15.權利要求13的方法，包括通過作為蝕刻掩模的所述蝕刻掩模膜氟干法蝕刻所述透明襯底。

16.權利要求13的方法，其中所述光掩模是Levenson掩模。