[發明專利]器件接觸、電器件封裝件以及制造電器件封裝件的方法有效
| 申請號: | 201310245378.3 | 申請日: | 2013-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN103515351A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發明(設計)人: | 約阿希姆·馬勒;哈利勒·哈希尼 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/522 | 分類號: | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 德國瑙伊*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 器件 接觸 封裝 以及 制造 方法 | ||
1.一種封裝電器件,包括:
部件,包括部件接觸區域;
載體,包括載體接觸區域;
第一導電連接層,連接所述部件接觸區域與所述載體接觸區域,其中,所述第一導電連接層覆蓋所述部件接觸區域的第一區;以及
第二連接層,連接所述部件接觸區域與所述載體接觸區域,其中,所述第二連接層覆蓋所述部件接觸區域的第二區,并且其中,所述第二連接層包括聚合物層。
2.根據權利要求1所述的電器件,其中,所述第一導電連接層覆蓋約70%到約90%的所述部件接觸區域,并且,其中,所述第二連接層覆蓋約30%到約10%的所述部件接觸區域。
3.根據權利要求1所述的電器件,其中,所述第二連接層包括在約1MPa到約50MPa之間的彈性部件。
4.根據權利要求1所述的電器件,其中,所述第二連接層包括在約5ppm/K到約200ppm/K之間的CTE部件。
5.根據權利要求1所述的電器件,其中,所述第二連接層包括彈性聚合物導電連接層。
6.根據權利要求5所述的電器件,其中,所述彈性聚合物導電連接層包括導電填充顆粒。
7.根據權利要求1所述的電器件,其中,所述第二連接層為彈性聚合物絕緣連接層。
8.根據權利要求7所述的電器件,其中,所述彈性聚合物絕緣連接層包括非導電填充顆粒。
9.根據權利要求1所述的電器件,其中,所述第二連接層沿著所述部件的外圍減小機械應力。
10.根據權利要求1所述的電器件,其中,所述載體包括引線框,并且其中,所述部件包括具有背面金屬化層的半導體芯片。
11.一種半導體器件封裝件,包括:
半導體器件,包括在底部主面處的漏極接觸;
引線框,具有引線框接觸區域;
混合連接層,連接所述漏極與所述引線框接觸區域,其中,所述混合連接層包括焊接層和聚合物連接層,所述焊接層覆蓋多于約70%的所述底部主面,所述聚合物連接層設置成與所述焊接層橫向相鄰并且覆蓋少于約30%的所述底部主面;以及
密封劑,密封所述半導體器件。
12.根據權利要求11所述的半導體器件,其中,所述焊接層覆蓋約70%到約90%的所述底部表面,并且其中,所述聚合物連接層覆蓋約10%到約30%的所述底部表面。
13.根據權利要求12所述的半導體器件,其中,所述焊接層具有機械剛性,并且其中,所述聚合物連接層具有機械彈性。
14.根據權利要求13所述的半導體器件,其中,所述半導體器件進一步包括覆蓋所述底部表面的背面金屬化層,并且其中,所述引線框為銅引線框。
15.一種制造電器件的方法,所述方法包括:
在載體的背面上形成背面金屬化(BSM)層;
在所述背面金屬化層上選擇性地形成導電連接層,所述導電連接層被設置在所述載體的多個部件中的一個部件的中心區處;
從所述載體處分離部件;
將所述部件與部件載體結合;以及
密封所述部件與所述部件載體的至少一部分。
16.根據權利要求15所述的方法,進一步包括在所述部件的外圍區內形成聚合物材料連接層。
17.根據權利要求16所述的方法,其中,所述聚合物材料連接層包括導電填充顆粒。
18.根據權利要求16所述的方法,其中,所述聚合物材料連接層包括非導電填充顆粒。
19.根據權利要求16所述的方法,其中,預先固化所述聚合物材料連接層。
20.根據權利要求16所述的方法,其中,使所述部件與所述部件載體結合包括固化所述聚合物材料連接層。
21.根據權利要求15所述的方法,其中,選擇性地形成所述導電連接層包括在所述載體的背面上形成所述導電連接層以及去除所述導電連接層的一部分。
22.根據權利要求15所述的方法,其中,密封所述部件和所述部件載體包括模塑所述部件和所述部件載體或者層壓所述部件和所述部件載體。
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