[發明專利]深紫外探測器及其制備方法

無效

• 申請號: 201310244835.7
• 申請日: 2013-06-19
• 公開（公告）號: CN103325858A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 梅增霞;侯堯楠;梁會力;葉大千;劉堯平;杜小龍
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/09;H01L31/18
• 代理公司: 北京智匯東方知識產權代理事務所(普通合伙) 11391
• 代理人: 范曉斌;郭海彬

1.一種深紫外探測器，包括金屬電極和材料為Mg_xZn_1-xO的薄膜層，其特征在于，所述金屬電極通過一過渡層與所述薄膜層連接，所述過渡層的材料選擇成能夠降低所述薄膜層與所述金屬電極之間的肖特基勢壘。

2.根據權利要求1所述的深紫外探測器，其特征在于，所述過渡層由被摻雜的Mg_yZn_1-yO材料形成。

3.根據權利要求2所述的深紫外探測器，其特征在于，所述過渡層中的摻雜元素為元素周期表中第VII主族或第III主族中的一種元素。

4.根據權利要求3所述的深紫外探測器，其特征在于，所述摻雜元素為氟。

5.根據權利要求2-4中任一項所述的深紫外探測器，其特征在于，所述摻雜元素的濃度為10¹⁵～10²¹cm^-3。

6.根據權利要求2-5中任一項所述的深紫外探測器，其特征在于，所述過渡層的所述Mg_yZn_1-yO中的y與所述薄膜層的所述Mg_xZn_1-xO中的x基本相同。

7.根據權利要求2-6中任一項所述的深紫外探測器，其特征在于，對于所述薄膜層，所述Mg_xZn_1-xO中的x≥0.35。

8.根據權利要求1-7中任一項所述的深紫外探測器，其特征在于，所述過渡層由所述薄膜層的一部分被摻雜的表面形成。

9.根據權利要求1-7中任一項所述的深紫外探測器，其特征在于，所述過渡層是在所述薄膜層的表面生長形成的。

10.一種深紫外探測器的制備方法，包括：

生長Mg_xZn_1-xO薄膜；

將摻雜元素摻雜到所述Mg_xZn_1-xO薄膜的部分表面形成過渡層，或在所述Mg_xZn_1-xO薄膜的部分表面生長一層被摻雜的Mg_yZn_1-yO材料形成過渡層；以及

在所述過渡層表面沉積金屬電極，從而得到所述深紫外探測器。