[發(fā)明專利]一種在CPI測試中防止襯墊剝離的方法以及產(chǎn)生的器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310244627.7
• 申請日: 2013-06-19
• 公開（公告）號(hào): CN104241148B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新鵬;張城龍;黃瑞軒
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/60
• 分類號(hào): H01L21/60;H01L21/66
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所11038
• 代理人: 曲瑞

1.一種用于防止CPI測試中的襯墊剝離的方法，包括：

在金屬層表面沉積第一鋁襯墊層，

在第一鋁襯墊層上沉積粘著層，對該粘著層進(jìn)行圖案化，以形成第一鋁襯墊層的露出部分，

在第一鋁襯墊層的露出部分和圖案化的粘著層上沉積第二鋁襯墊層以形成需要的包含圖案化的粘著層的鋁襯墊膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，第一鋁襯墊層的厚度為需要的鋁襯墊膜的厚度的1/5-1/3。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，鋁襯墊膜的鋁襯墊層之間的粘著層被沉積兩次，所述粘著層是鈦、鉭、氮化鉭，或者它們的多種粘結(jié)組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3的方法，其中，該粘著層的圖案化工藝使用濕法蝕刻工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法，其中，所述濕法蝕刻工藝使用堿性溶液中的H₂O₂添加劑，其具有20A-100A/分鐘的蝕刻率。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或3的方法，其中，該粘著層的圖案化工藝使用干蝕刻工藝。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中，所述干蝕刻工藝使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中所述含氟的化學(xué)物質(zhì)是CF₄/CHF₃/CH₂F₂。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或3的方法，其中，該粘著層的厚度為5-50nm。

10.一種用于防止CPI測試中的襯墊剝離的方法，其在鋁襯墊膜中具有多個(gè)嵌入的粘著層，所述鋁襯墊膜的結(jié)構(gòu)和圖案由根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)的方法重復(fù)或根據(jù)權(quán)利要求1-9任意至少兩項(xiàng)方法結(jié)合形成。

11.一種半導(dǎo)體器件，包括：

沉積在金屬層表面的第一鋁襯墊層，

在第一鋁襯墊層上沉積的粘著層，所述粘著層上具有圖案化形成的圖案，其中對該粘著層的所述圖案化形成了第一鋁襯墊層的露出部分，

在第一鋁襯墊層的露出部分和圖案化的粘著層上沉積的第二鋁襯墊層，其中第一鋁襯墊層、粘著層和第二鋁襯墊層形成了需要的包含圖案化的粘著層的鋁襯墊膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件，第一鋁襯墊層的厚度為需要的鋁襯墊膜的厚度的1/5-1/3。

13.根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件，鋁襯墊膜的鋁襯墊層之間的粘著層被沉積兩次，所述粘著層是鈦、鉭、氮化鉭，或者它們的多種粘結(jié)組合。

14.根據(jù)權(quán)利要求11或13的半導(dǎo)體器件，其中，該粘著層的圖案通過使用濕法蝕刻工藝來轉(zhuǎn)印形成。

15.根據(jù)權(quán)利要求14的半導(dǎo)體器件，其中，該粘著層的圖案的所述濕法蝕刻工藝使用堿性溶液中的H₂O₂添加劑，其具有20A-100A/分鐘的蝕刻率。

16.根據(jù)權(quán)利要求11或13的半導(dǎo)體器件，其中，該粘著層的圖案使用干蝕刻工藝來轉(zhuǎn)印形成。

17.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體器件，其中，該粘著層的圖案的所述干蝕刻工藝使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。

18.根據(jù)權(quán)利要求17的半導(dǎo)體器件，其中所述含氟的化學(xué)物質(zhì)是CF₄/CHF₃/CH₂F₂。

19.根據(jù)權(quán)利要求11或13的半導(dǎo)體器件，其中，該粘著層的厚度為5-50nm。

20.一種用于防止CPI測試中的襯墊剝離的半導(dǎo)體器件，其在鋁襯墊膜中具有多個(gè)嵌入的粘著層，所述鋁襯墊膜的結(jié)構(gòu)和圖案是權(quán)利要求11-19任意一項(xiàng)的結(jié)構(gòu)的重復(fù)或權(quán)利要求11-19任意至少兩項(xiàng)的結(jié)構(gòu)的組合。