[發(fā)明專利]一種無氟單晶TiO2納米薄膜的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310244408.9 | 申請日： | 2013-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN103320856A | 公開（公告）日： | 2013-09-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 廖宇龍;張懷武;鐘智勇;白飛明;李頡 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | C30B29/16 | 分類號： | C30B29/16;C30B1/02 |
| 代理公司： | 成都宏順專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李順德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 無氟單晶 tio sub 納米 薄膜 制備 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種無氟單晶TiO2納米薄膜的制備方法，包括以下步驟：
步驟1：以金屬鈦片為襯底材料，首先采用陽極氧化工藝，在含氟的有機(jī)電解液中對金屬鈦片進(jìn)行氧化，在金屬鈦片表面生成無定型態(tài)TiO2納米管陣列薄膜；
步驟2：將表面生成了無定型態(tài)TiO2納米管陣列薄膜的金屬鈦片置于質(zhì)量百分比濃度不超過2%的氟化銨水溶液中浸泡2～5分鐘后取出晾干；
步驟3：將步驟2處理后的TiO2納米管陣列薄膜連同金屬鈦片一起，置于封閉容器中，在450～550℃的溫度條件下煅燒1～2小時，得到附著在金屬鈦片表面且表面含氟的TiO2納米薄膜；所述TiO2納米薄膜由(001)面暴露的單晶銳鈦礦型TiO2納米顆粒組成；
步驟4：將步驟3得到的附著在金屬鈦片表面且表面含氟的TiO2納米薄膜，置于450～600℃的溫度條件下煅燒1～3小時以進(jìn)行脫氟處理，最終得到無氟單晶TiO2納米薄膜；所述無氟單晶TiO2納米薄膜由(001)面暴露的單晶銳鈦礦型TiO2納米顆粒組成，且表面不含氟。
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