[發明專利]有機發光二極管顯示設備及其制造方法有效
| 申請號: | 201310244296.7 | 申請日: | 2013-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN103515413A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發明(設計)人: | 許峻瑛;尹鐘根 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示 設備 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造有機發光二極管顯示設備的方法,所述方法包括以下步驟:
在基板的顯示區域中形成薄膜晶體管,所述基板具有顯示區域和非顯示區域;
在所述基板上在所述顯示區域中形成金屬圖案;
在所述基板上形成連接到所述薄膜晶體管的第一電極;
在所述基板上形成堤臺,以露出所述第一電極的一部分和所述金屬圖案的一部分;
形成用于覆蓋所述金屬圖案的光致抗蝕劑圖案;
在設置有所述第一電極和所述光致抗蝕劑圖案的所述基板的整個表面上方依次形成空穴公共層、有機發光層和電子公共層;
去除所述光致抗蝕劑圖案;以及
在所述電子公共層上形成用于連接到所述金屬圖案的第二電極。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,形成光致抗蝕劑圖案的步驟包括:
在所述基板的整個表面上方涂覆光致抗蝕劑;
通過對所述光致抗蝕劑進行曝光和顯影,形成具有倒梯形形狀的光致抗蝕劑圖案。
3.根據權利要求1或2所述的方法,其中,形成有機發光層的步驟通過在所述基板的整個表面上方形成發出白光的有機發光材料,或通過在各個子像素上形成分別發出紅光、綠光和藍光的有機發光材料而進行。
4.根據權利要求1或2所述的方法,其中,同時去除形成在所述光致抗蝕劑圖案上的所述空穴公共層、所述有機發光層和所述電子公共層,以在去除所述光致抗蝕劑圖案期間露出所述金屬圖案。
5.根據權利要求1或2所述的方法,所述方法還包括以下步驟:在去除所述光致抗蝕劑圖案之前,在設置有所述電子公共層的所述基板的整個表面上方形成輔助電極。
6.一種制造有機發光二極管顯示設備的方法,所述方法包括以下步驟:
在基板的顯示區域中形成薄膜晶體管,所述基板具有顯示區域和非顯示區域;
在所述基板上在所述顯示區域中形成金屬圖案;
在所述基板上形成連接到所述薄膜晶體管的第一電極;
在所述基板上形成堤臺,以露出所述第一電極的一部分和所述金屬圖案的一部分;
在設置有所述第一電極、所述堤臺和所述金屬圖案的所述基板的整個表面上方依次形成空穴公共層、有機發光層和電子公共層;
形成覆蓋所述電子公共層的光致抗蝕劑圖案,并且使用所述光致抗蝕劑圖案作為掩模來去除所述空穴公共層、所述有機發光層和所述電子公共層;
去除所述光致抗蝕劑圖案;以及
在所述電子公共層上形成連接到所述金屬圖案的第二電極。
7.根據權利要求6所述的方法,其中,形成所述有機發光層的步驟是通過在所述基板的整個表面上方形成發出白光的有機發光材料,或通過在各個子像素上形成分別發出紅光、綠光和藍光的有機發光材料而進行。
8.根據權利要求6或7所述的方法,其中,在去除所述空穴公共層和所述電子公共層期間同時去除與所述金屬圖案交疊的所述有機發光層。
9.根據權利要求6或7所述的方法,其中,所述光致抗蝕劑和顯影劑由含氟材料形成。
10.根據權利要求6或7所述的方法,其中,所述金屬圖案和所述第一電極同時由相同材料制成。
11.一種有機發光二極管顯示設備,所述有機發光二極管顯示設備包括:
陣列基板,其具有顯示區域和非顯示區域;
多個有機發光單元,其形成在所述基板的顯示區域中,其中,所述有機發光單元中的每一個包括:
至少一個薄膜晶體管,
金屬圖案,其在所述基板上在所述顯示區域中;
第一電極,其在所述基板上連接到所述薄膜晶體管;
堤臺,其在所述基板上與所述第一電極的一部分和所述金屬圖案的一部分部分地交疊;
空穴公共層、有機發光層和電子公共層,其依次形成在所述第一電極、所述堤臺上方;
第二電極,其部分地覆蓋所述堤臺并且完全覆蓋所述電子公共層,所述第二電極連接到所述金屬圖案。
12.根據權利要求11所述的有機發光二極管顯示設備,所述有機發光二極管顯示設備還包括:
包括有濾色器的濾色器基板,所述濾色器基板面向所述陣列基板。
13.根據權利要求11或12所述的有機發光二極管顯示設備,其中,所述金屬圖案在所述基板上與所述第一電極間隔開。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





