[發明專利]高導電性柔性石墨烯膜電極的制備方法

有效

• 申請號: 201310243138.X
• 申請日: 2013-06-18
• 公開（公告）號: CN103346024B
• 公開（公告）日: 2016-10-19
• 發明（設計）人: 許娟;魏曦晨;曹劍瑜;陳智棟;王文昌
• 申請（專利權）人: 常州大學;常州江工闊智電子技術有限公司
• 主分類號: H01G11/86
• 分類號: H01G11/86
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高導電性柔性石墨烯膜電極的制備方法，其特征在于：步驟如下：

采用Hummers法制備氧化石墨分散液，在分散液中同時加入導電碳材料和高聚物，超聲震蕩分散均勻，然后使氧化石墨成膜，再將氧化石墨膜還原即制得高導電性柔性石墨烯膜，根據實際應用需要可將制得石墨烯膜裁剪成需要的形狀即得到高導電性柔性石墨烯膜電極。

2.根據權利要求1所述的高導電性柔性石墨烯膜電極的制備得到，其特征在于：所述的導電炭材料為活性碳、碳黑BP-2000、乙炔黑、碳纖維、石墨或碳納米管中任意一種，導電碳材料在石墨烯膜中質量比例為0.2～20wt.%。

3.根據權利要求1所述的高導電性柔性石墨烯膜電極的制備得到，其特征在于：所述的高聚物為環氧樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚酰亞胺，高聚物為在石墨烯膜中質量比例為0.1～10wt.%。

4.根據權利要求1所述的高導電性柔性石墨烯膜電極的制備得到，其特征在于：所述的氧化石墨成膜的方法為真空抽濾法或噴涂法。

5.根據權利要求1所述的高導電性柔性石墨烯膜電極的制備得到，其特征在于：所述氧化石墨還原采用氫氣熱還原法或HI溶液還原法。

6.根據權利要求5所述的高導電性柔性石墨烯膜電極的制備得到，其特征在于：所述的氫氣熱還原法還原過程為：在氫氣和氮氣混合氣，保護下將氧化石墨膜以1～10℃/min的速度升溫至1050℃，保溫0.1～2h，自然降溫至室溫；

其中氫氣與氮氣混合氣體中氫氣和氮氣質量比為5:95～15:85，氫氣的通入速度是100ml/min。

7.根據權利要求5所述的高導電性柔性石墨烯膜電極的制備得到，其特征在于：所述的HI溶液還原法還原過程為：將氧化石墨烯膜放入濃度為10～80wt.%的HI溶液中，在30～200℃條件下，反應0.5～5h，HI與氧化石墨膜的質量比為5:1～30:1。