[發明專利]存儲器裝置及其操作方法

有效

• 申請號: 201310242984.X
• 申請日: 2013-06-18
• 公開（公告）號: CN104051020B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 薛文鳳;林明昭
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: G11C29/02
• 分類號: G11C29/02;G11C29/42;G11C29/52
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 任巖

技術領域

本發明有關于包括錯誤校正碼(ECC)邏輯的存儲器裝置和系統，尤其是一種具有受配置防止過度校正的錯誤校正的存儲器裝置及其操作方法。

本申請案主張受益于在2013/3/12提出申請的美國臨時專利申請案號61/776,812，而所述案件全文便如同本文的參照。

背景技術

用于集成電路存儲器的存儲器技術被發展在越來越小的節點，且被部署在一單個集成電路上的越來越大的存儲器陣列上。用于存儲器存儲單元的技術不斷進步時，感測數據的邊界能夠變得更加緊密。而且，由于存儲器存儲單元和相鄰存儲器存儲單元遭受高速且大量的存取，而導致出現干擾存儲器存儲單元狀態之故，存儲器存儲單元保持數據值的能力將受限于上述更加緊密的邊界。

由于這些技術限縮于尺寸和密度，為了探討那些緣自更加緊密的感測邊界和存儲器存儲單元干擾的議題，使用多個錯誤校正碼(ECCs)與嵌入集成電路存儲器的支持邏輯已變得更加廣泛。

在某些系統中，存儲器存儲單元的閾值電壓或其他感測的條件可隨時間漂移，或隨數據循環。解決讀取漂移的技術和通過移動讀取偏壓的條件以匹配漂移的程序操作已經被提出。例如參考由Cohen和Polansky等人所提出的美國專利號6,992,932：“A4b/cell?NROM1Gb?Data-Storage?Memory，”ISSCC2006，Session7/Non-Volatile?Memory/7.1，January2006。

雖有錯誤校正技術的領域，錯誤率仍可限制了現存存儲器技術的可用性，并延后了新存儲器技術的演進。因此，亟待提高可應用于存儲器裝置的錯誤校正技術。

發明內容

本發明提供了一種存儲器裝置以及操作一存儲器的方法。所敘述的一種操作方法包括：通過進行迭代，從該存儲器讀取一數據集，其中一迭代包括在所選存儲單元中使用一讀取偏壓而感測數據，以及在該所感測數據中產生一錯誤指示。如果在一迭代的錯誤指示小于一臨界值，則迭代使用該迭代中從選擇的存儲單元所感測到的數據。如果在該迭代的錯誤指示大于一臨界值，迭代則使用一移動讀取偏壓以執行另一次迭代。然而，如果在該迭代的錯誤指示相對于一前次迭代錯誤增加，則使用一“反向移動“，因此前一迭代從所選擇的存儲單元所感測到的數據(即使用讀取感測等于或接近于前一迭代讀取偏壓)能夠被輸出。因此，該讀取偏壓狀態的過度校正可被補償或預防。

操作一存儲器裝置的方法的一實施例，該實施例實施“反向移動“，包括：一種操作一存儲器的方法，包括：通過執行迭代而從該存儲器選擇的存儲單元讀取一數據集，所述迭代包括使用一讀取偏壓而感測所選擇存儲單元中的數據，及在所感測數據中產生一錯誤指示。而在迭代中使用一讀取偏壓；然后如果在該一迭代中的該錯誤指示小于一臨界值，則從迭代所選擇存儲單元中輸出在該一迭代中所感測的該數據；以及如果在該一迭代中的該指示超過一臨界值，則移動該讀取偏壓并執行另一迭代，又如果在該迭代中的該指示小于該臨界值，則輸出在該迭代中從選擇存儲單元中感測的數據；如果相對于第一迭代，在該第二迭代中的錯誤增加的情況，則從所選擇存儲單元中輸出在該第一迭代中所感測的數據。

如果需要的話，所述方法可包括額外的迭代。

本發明的其他部分以及優點，可參考下文的圖式、詳細說明和隨附權利要求范圍而得知。

附圖說明

圖1是包括反向移動邏輯的一存儲器裝置的一方塊圖。

圖2是位計數對于閾值電壓圖，展示一存儲器存儲單元中閾值電壓分布，其目的在于描述讀取偏壓移動技術。

圖3展示如同參照圖2的一讀取偏壓移動技術的一效能圖。

圖4是位計數對于閾值電壓圖，展示一存儲器存儲單元的閾值電壓分布圖，其目的即在于描述使用一反向移動的讀取偏壓的移動技術。

圖5展示如同參照圖4所示的一讀取偏壓移動技術，而無一反向移動的效能圖。

圖6是包括可用于實施一反向移動的雙緩沖器邏輯的一邏輯圖。

圖7是用于實施反向移動而操作一存儲裝置的一方法的一流程圖。

【符號說明】

100??存儲器裝置

101??輸入/輸出端

102??控制端

112??控制信號

103??命令譯碼器

104??行譯碼器(x-譯碼器)

105??列選擇器(y選擇器)

190??存儲器陣列

106??分頁緩沖器

140??錯誤校正碼邏輯