[發明專利]一種高導電性氟化石墨烯薄膜的制備方法無效
| 申請號： | 201310242702.6 | 申請日： | 2013-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN103350992A | 公開（公告）日： | 2013-10-16 |
| 發明（設計）人： | 劉長江;連榕 | 申請（專利權）人： | 廈門烯成新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B31/00 | 分類號： | C01B31/00 |
| 代理公司： | 廈門市誠得知識產權代理事務所(普通合伙) 35209 | 代理人： | 賴開慧 |
| 地址： | 361000 福建省廈門市*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 導電性 氟化 石墨 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種高導電性氟化石墨烯薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
將石墨烯薄膜放入真空管式爐，并保持真空管式爐溫度為200℃；
向所述真空管式爐通入氬氣，氬氣流量為2000sccm；
通入1至10sccm預處理的氟化氙蒸汽1至10min；
通入氬氣至一個大氣壓，并將真空管式爐降溫至室溫，取出形成的高導電性氟化石墨烯薄膜產品。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜形成方法如下：
將經表面拋光處理的基底放入真空管式爐恒溫區域；
將真空管式爐抽真空，真空度為0.2至0.5Pa；
向真空管式爐通入10sccm氫氣；
加熱真空管式爐至800至1050℃，在該溫度下保持3至20min；
向真空管式爐通入1至5sccm的碳源1至20min，然后使其自然冷卻至200℃，制得石墨烯薄膜。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述氟化氙預處理工藝為：將氟化氙晶體加熱10min，使其形成溫度為100至180℃的氟化氙蒸汽。
4.根據權利要求1或3所述的制備方法，其特征在于，所述氟化氙為二氟化氙或四氟化氙或六氟化氙。
5.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述碳源為甲烷、乙炔或乙烯。
6.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述碳源為甲烷，所述甲烷流量為3sccm。
7.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述基底包括銅片或鍺化稼或砷化鎵。
8.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述石墨烯薄膜為單層或多層石墨烯薄膜。
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