[發(fā)明專利]蒸發(fā)鍍膜設(shè)備及其抽氣工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310242244.6
• 申請(qǐng)日: 2013-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103320752A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 儲(chǔ)琦
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 儲(chǔ)琦
• 主分類號(hào): C23C14/24
• 分類號(hào): C23C14/24;C23C14/56
• 代理公司: 廣東國(guó)欣律師事務(wù)所 44221
• 代理人: 姜?jiǎng)倥?/td>

1.?一種蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，包括真空鍍膜室，所述真空鍍膜室分別連接有電弧鈦泵、牽引分子泵和粗抽泵，所述牽引分子泵與一前級(jí)泵連接，所述真空鍍膜室和牽引分子泵之間設(shè)有一第一真空閥，所述牽引分子泵和前級(jí)泵之間設(shè)有一第二真空閥，所述真空鍍膜室和粗抽泵之間設(shè)有一第三真空閥，所述真空鍍膜室和電弧鈦泵之間設(shè)有一第四真空閥；

所述電弧鈦泵包括鈦靶以及與所述鈦靶連接的陰極弧源基座，所述鈦靶設(shè)于所述真空鍍膜室之內(nèi)，所述陰極弧源基座設(shè)于所述真空鍍膜室之外，所述陰極弧源基座通過(guò)一絕緣墊與所述真空鍍膜室固定連接，所述陰極弧源基座上設(shè)有一永久磁鐵，所述陰極弧源基座內(nèi)設(shè)有一冷卻水槽，所述陰極弧源基座上開(kāi)設(shè)有一與所述冷卻水槽連通的進(jìn)水口和一與所述冷卻水槽連通的出水口，所述鈦靶和/或陰極弧源基座上開(kāi)設(shè)有至少一與所述真空鍍膜室連通的氣孔。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述鈦靶和陰極弧源基座連接處的殘留空間還設(shè)有一彈性導(dǎo)熱層。

3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述彈性導(dǎo)熱層由金屬導(dǎo)熱材料制成。

4.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述彈性導(dǎo)熱層由非金屬導(dǎo)熱材料制成。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備，其特征在于，所述鈦靶和/或陰極弧源基座上的氣孔的內(nèi)徑為2~3mm，所述氣孔的數(shù)量為1~3個(gè)。

6.?一種如權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的抽氣工藝，其特征在于包括如下步驟：

（1）粗抽階段：由粗抽泵抽氣，將真空鍍膜室壓強(qiáng)從大氣壓抽至50~200Pa；?

（2）中真空階段：由牽引分子泵+前級(jí)泵抽氣，將真空鍍膜室壓強(qiáng)由50~200?Pa抽至0.1Pa；

（3）精抽階段：由電弧鈦泵+牽引分子泵+前級(jí)泵抽氣，真空鍍膜室壓強(qiáng)由0.1?Pa抽至10^-2~10^-3Pa，其中，高真空的活性氣體由電弧鈦泵抽出，高真空的惰性氣體以及中真空氣體由牽引分子泵和前級(jí)泵抽出；

（4）鍍膜階段：真空鍍膜室達(dá)到蒸發(fā)鍍膜所需的真空度后，開(kāi)始預(yù)熔、鍍膜，由電弧鈦泵+牽引分子泵+前級(jí)泵繼續(xù)抽氣；

（5）結(jié)束階段：鍍膜完成后，關(guān)閉第三真空閥和第四真空閥，停止電弧鈦泵，打開(kāi)第一放氣閥，真空鍍膜室暴露于大氣，完成蒸發(fā)鍍膜工藝。

7.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的抽氣工藝，其特征在于，所述蒸發(fā)鍍膜設(shè)備還增設(shè)有一深冷水汽泵，所述深冷水汽泵與所述真空鍍膜室連接，在中真空階段、精抽階段和鍍膜階段協(xié)助抽出水蒸汽。

8.?根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的抽氣工藝，其特征在于，取消所述真空鍍膜室和電弧鈦泵之間的第四真空閥，所述真空鍍膜室與電弧鈦泵直接連通。