[發明專利]積層陶瓷基板的分斷方法有效
| 申請號: | 201310241360.6 | 申請日: | 2013-06-13 |
| 公開(公告)號: | CN103681294B | 公開(公告)日: | 2017-05-24 |
| 發明(設計)人: | 武田真和;村上健二 | 申請(專利權)人: | 三星鉆石工業股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;B28D5/00;H05K3/46 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司11019 | 代理人: | 壽寧,張華輝 |
| 地址: | 日本大阪府*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陶瓷 方法 | ||
技術領域
本發明有關于在陶瓷基板積層有金屬膜的積層陶瓷基板的分斷方法。
背景技術
現有習知,在對在陶瓷基板積層有金屬膜的積層陶瓷基板進行分斷的情形,大多使用切割鋸(dicing saw)等進行分斷。此外,在專利文獻1提及有在對陶瓷基板進行刻劃后接合金屬層,且借由蝕刻法(etching)將刻劃線的金屬層除去后進行裂斷的陶瓷接合基板的制造方法。
專利文獻1:日本特開2009-252971號公報
在前述的專利文獻1中,存在有如下問題:在對陶瓷基板積層金屬薄膜之前必需進行刻劃,且并非對既已積層的積層陶瓷基板進行分斷。
此外,為了對積層后的積層陶瓷基板進行分斷,如圖1(a)所示,關于對在陶瓷基板101積層有金屬膜102的積層陶瓷基板100進行刻劃并裂斷的情形進行說明。首先,如圖1(b)所示,在陶瓷基板101的面以刻劃輪103進行刻劃,如圖1(c)所示,從陶瓷基板101側以裂斷桿104進行按壓并裂斷。在該情形,陶瓷基板101即使可分離,金屬膜102仍未被分離,因此存在有如圖1(d)所示即使施以裂斷,金屬膜102仍未被分離而殘存,無法完成完全分斷的問題。
此外,作為其他的方法,如圖2(a)、圖2(b)所示,在積層陶瓷基板100之中,對金屬膜102的面使用刻劃輪103施以刻劃。接著,如圖2(c)所示,即使欲使用裂斷桿104對積層陶瓷基板進行分斷,在金屬膜102未形成充分的垂直裂紋下,在陶瓷基板101側則無法產生垂直裂紋。因此存在有進行裂斷困難而無法完成分離、或如圖2(d)所示無法沿刻劃線分離的問題。
由此可見,上述現有的分斷方法在使用上,顯然仍存在有不便與缺陷,而亟待加以進一步改進。
發明內容
本發明的目的在于提供一種積層陶瓷基板的分斷方法,其可完全地分斷于陶瓷基板積層有金屬膜的積層陶瓷基板且進行個別化。
本發明的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。本發明的積層陶瓷基板的分斷方法,是在陶瓷基板積層有金屬膜的積層陶瓷基板的分斷方法,包括:在該陶瓷基板及該金屬膜的一面形成第1刻劃線;在該陶瓷基板及該金屬膜的另一面,沿著該第1刻劃線形成第2刻劃線;沿著該第1刻劃線、第2刻劃線而對該陶瓷基板及金屬膜的至少一方進行裂斷,借此沿著刻劃線對陶瓷基板進行分斷。
借由上述技術方案,本發明積層陶瓷基板的分斷方法至少具有下列優點及有益效果:借由本發明,對在陶瓷基板積層有金屬膜的積層陶瓷基板從兩側進行刻劃且從至少一面進行裂斷,因此可避免金屬膜的剝離,可完全地分斷、個別化成所想要的形狀,且可提高端面精度。
上述說明僅是本發明技術方案的概述,為了能夠更清楚了解本發明的技術手段,而可依照說明書的內容予以實施,并且為了讓本發明的上述和其他目的、特征和優點能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實施例,并配合附圖,詳細說明如下。
附圖說明
圖1:表示從積層陶瓷基板的陶瓷基板側進行刻劃及裂斷的情形的分斷處理圖。
圖2:表示從積層陶瓷基板的金屬膜側進行刻劃及裂斷時的狀態圖。
圖3:表示本發明實施例的積層陶瓷基板的分斷處理步驟圖。
【主要元件符號說明】
10:積層陶瓷基板11:陶瓷基板
12:金屬膜13、14:刻劃輪
15、16:支持構件 17、19:帶材
18:裂斷桿
具體實施方式
為更進一步闡述本發明為達成預定發明目的所采取的技術手段及功效,以下結合附圖及較佳實施例,對依據本發明提出的一種積層陶瓷基板的分斷方法的具體實施方式、結構、特征及其功效,詳細說明如后。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





