[發明專利]發光設備有效
| 申請號: | 201310241333.9 | 申請日: | 2013-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN103542280B | 公開(公告)日: | 2017-12-08 |
| 發明(設計)人: | 韓載天;閔正明 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | F21K9/20 | 分類號: | F21K9/20;F21K9/69;F21K9/64;F21V5/00;F21V9/10;H01L33/48 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人: | 張浴月,李玉鎖 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 設備 | ||
1.一種發光設備,包括:
墊塊;
第一光源,位于所述墊塊上,用來產生具有處于400nm至500nm范圍中的第一主要波段的光;
第二光源,位于所述墊塊上,用來產生具有處于600nm至670nm范圍中的第二主要波段的光,所述第二光源與所述第一光源間隔開;
第一透明層,包圍所述第一光源和所述第二光源;
波長轉換層,位于所述第一透明層上,用來將具有所述第一主要波段的光和具有所述第二主要波段的光的至少一個轉換成具有處于500nm至600nm范圍中的第三主要波段的光;
擴散層,位于所述墊塊與所述第一透明層之間;以及
介質層,位于所述波長轉換層與所述第一透明層之間,
其中所述第一光源或所述第二光源的至少一個具有第一折射率,所述第一透明層具有第二折射率,所述介質層具有第三折射率,以及所述波長轉換層具有第四折射率,
其中所述第一折射率至所述第四折射率彼此不同,
其中所述擴散層的側表面接觸所述波長轉換層的內表面和所述介質層的邊緣的底表面;
其中所述波長轉換層具有半球形;
其中所述第一透明層的第二折射率低于所述第一光源或所述第二光源的第一折射率并且高于所述介質層的第三折射率;
其中所述波長轉換層包括孔或凹槽之一;
其中所述孔或凹槽彼此間隔開;
其中形成在所述波長轉換層的中心區域的孔或凹槽的尺寸或直徑小于形成在所述波長轉換層的外圍區域的孔或凹槽的尺寸或直徑。
2.根據權利要求1所述的發光設備,其中所述第二折射率處于1.4至1.6的范圍中,所述第三折射率處于1至1.3的范圍中,以及所述第四折射率處于1.4至2.0的范圍中。
3.根據權利要求1所述的發光設備,還包括:
第二透明層,位于所述波長轉換層上;
其中所述第二折射率處于1.4至1.6的范圍中,所述第三折射率處于1至1.3的范圍中,以及所述第四折射率處于1.4至2.0的范圍中;
其中所述第二透明層具有低于所述第四折射率的第五折射率。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的發光設備,其中所述介質層包括從由真空介質、空氣以及液態二氧化碳構成的組里選擇的一個;
其中所述介質層的第三折射率處于1至1.3的范圍中。
5.根據權利要求3所述的發光設備,其中所述第二透明層包括具有不同折射率的多個透明膜。
6.根據權利要求1至3中任一項所述的發光設備,其中所述擴散層接觸所述第一光源或所述第二光源的至少一個的側表面。
7.根據權利要求6所述的發光設備,其中所述擴散層的頂面與所述第一光源或所述第二光源中至少一個光源的頂面共面。
8.根據權利要求1至3中任一項所述的發光設備,其中所述第一透明層具有第一半徑的曲率,且所述波長轉換層具有第二半徑的曲率,
其中所述介質層具有與所述第二半徑和所述第一半徑之間的差值對應的寬度;
其中所述第一透明層具有半球形。
9.根據權利要求1所述的發光設備,其中所述介質層的寬度在0.5mm至50mm的范圍。
10.根據權利要求1至3中任一項所述的發光設備,其中所述波長轉換層包括:
透明膜;以及
多個波長轉換微粒,分散在所述透明膜中;
其中所述波長轉換顆粒包括磷光體。
11.根據權利要求10所述的發光設備,其中所述凹槽的面積是相對于所述波長轉換層的整個面積的10%至30%;
其中所述凹槽具有從所述波長轉換層的頂面向下凹入的凹形。
12.根據權利要求11所述的發光設備,其中所述凹槽的尺寸或直徑從所述波長轉換層的中心區域到所述波長轉換層的外圍區域線性或非線性增大。
13.根據權利要求10所述的發光設備,其中所述孔的面積為相對于所述波長轉換層的整個面積的10%至30%;
其中所述孔貫穿所述波長轉換層的底面和頂面。
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