[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板和包括該基板的顯示設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310241332.4 | 申請日： | 2013-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN103633146B | 公開（公告）日： | 2018-05-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李元世 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 嚴(yán)芬;康泉 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜晶體管 陣列 包括 顯示 設(shè)備 | ||
1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括：
第一導(dǎo)電層，選自薄膜晶體管的有源層、柵電極、源電極和漏電極；
第一絕緣層，在所述第一導(dǎo)電層上；
第二導(dǎo)電層，位于與所述第一導(dǎo)電層不同的層中并且在所述第一絕緣層上；
第二絕緣層，在所述第二導(dǎo)電層上；以及
連接節(jié)點(diǎn)，將所述第一導(dǎo)電層聯(lián)接至所述第二導(dǎo)電層，所述連接節(jié)點(diǎn)在與所述薄膜晶體管陣列基板平行的第一平坦表面上與所述第一導(dǎo)電層直接接觸，并且在與所述薄膜晶體管陣列基板平行的第二平坦表面上與所述第二導(dǎo)電層直接接觸，
其中所述薄膜晶體管陣列基板具有由第一接觸孔和第二接觸孔形成的節(jié)點(diǎn)接觸孔，
所述第一接觸孔位于所述第一導(dǎo)電層上；并且
所述第二接觸孔位于所述第二導(dǎo)電層上，所述第二接觸孔是與所述第一接觸孔一體的并且不通過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層與所述第一接觸孔分離，并且
其中所述連接節(jié)點(diǎn)的至少一部分位于所述節(jié)點(diǎn)接觸孔中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述連接節(jié)點(diǎn)位于與所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層不同的層中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層在所述節(jié)點(diǎn)接觸孔所在的區(qū)域處部分重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的邊沿不位于所述第一接觸孔和所述第二接觸孔之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第一導(dǎo)電層或所述第二導(dǎo)電層位于與所述有源層相同的層中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第一導(dǎo)電層或所述第二導(dǎo)電層包括與所述有源層相同的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其中所述第二絕緣層不位于所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層在所述節(jié)點(diǎn)接觸孔所在的區(qū)域處部分重疊的區(qū)域。
8.一種顯示設(shè)備，包括：
在薄膜晶體管陣列基板上的多個像素，所述多個像素中的每個像素包括：
像素電路，聯(lián)接至多條導(dǎo)線并且包括至少一個薄膜晶體管和至少一個電容器；
和
顯示器件，聯(lián)接至所述像素電路；
第一導(dǎo)電層，位于所述像素中并且選自薄膜晶體管的有源層、柵電極、源電極和漏電極；
第一絕緣層，在所述第一導(dǎo)電層上；
第二導(dǎo)電層，位于所述像素中、與所述第一導(dǎo)電層部分重疊并且位于與所述第一導(dǎo)電層不同的層中，并且在所述第一絕緣層上；
第二絕緣層，在所述第二導(dǎo)電層上；以及
連接節(jié)點(diǎn)，聯(lián)接所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層，所述連接節(jié)點(diǎn)在與所述薄膜晶體管陣列基板平行的第一平坦表面上與所述第一導(dǎo)電層直接接觸，并且在與所述薄膜晶體管陣列基板平行的第二平坦表面上與所述第二導(dǎo)電層直接接觸，
其中所述顯示設(shè)備具有由第一接觸孔和第二接觸孔形成的節(jié)點(diǎn)接觸孔，
所述第一接觸孔位于所述第一導(dǎo)電層上；并且
所述第二接觸孔位于所述第二導(dǎo)電層上，所述第二接觸孔是與所述第一接觸孔一體的并且不通過所述第一絕緣層和所述第二絕緣層與所述第一接觸孔分離，并且
其中所述連接節(jié)點(diǎn)的至少一部分位于所述節(jié)點(diǎn)接觸孔中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備，其中所述連接節(jié)點(diǎn)位于與所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層不同的層中。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備，其中所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層在所述節(jié)點(diǎn)接觸孔所在的區(qū)域處部分重疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備，其中所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的邊沿不位于所述第一接觸孔和所述第二接觸孔之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示設(shè)備，其中所述第二導(dǎo)電層包括所述電容器的電極。
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H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
