[發明專利]電阻變化存儲器及電阻變化器件的成形方法

有效

• 申請號: 201310240843.4
• 申請日: 2013-06-18
• 公開（公告）號: CN103514950B
• 公開（公告）日: 2018-04-24
• 發明（設計）人: 阪口智則;寺井真之;八高公一
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: G11C16/02
• 分類號: G11C16/02;G11C11/56
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 申發振

1.一種電阻變化存儲器，包括：

電阻變化器件，具有第一電極、第二電極以及置于所述第一電極與所述第二電極之間的電阻變化層，以及

控制電路，用于控制對所述電阻變化器件的電壓施加，其中

所述第一電極的材料與所述第二電極的材料不同，

所述第二電極的材料包括選自包括W的氮化物、Ti的氮化物和Ta的氮化物的組中的一種材料，

所述控制電路在所述電阻變化器件的成形中執行接續第一成形處理的第二成形處理，

所述第一成形處理包括施加電壓使得所述第一電極的電位高于所述第二電極的電位，以及

所述第二成形處理包括施加電壓使得所述第二電極的電位高于所述第一電極的電位，

其中所述第一電極的氧化物形成自由能低于所述第二電極的氧化物形成自由能。

2.根據權利要求1所述的電阻變化存儲器，其中

在所述第二成形處理中施加于所述第一電極與所述第二電極之間的電壓等于或低于在所述第一成形處理中施加于所述第一電極與所述第二電極之間的電壓。

3.根據權利要求1所述的電阻變化存儲器，其中

所述第一成形處理還包括施加電壓使得所述第二電極上的電位高于所述第一電極上的電位。

4.根據權利要求1所述的電阻變化存儲器，其中

所述控制電路對于多個電阻變化器件共同執行所述電阻變化器件的成形處理。

5.根據權利要求1所述的電阻變化存儲器，其中

所述控制電路在通常操作中執行增加所述電阻變化器件的電阻值的截止切換處理以及降低所述電阻變化器件的電阻值的導通切換處理，其中

所述截止切換處理包括施加電壓使得所述第一電極的電位高于所述第二電極的電位，以及

所述導通切換處理包括施加電壓使得所述第二電極的電位高于所述第一電極的電位。

6.一種電阻變化器件的成形方法，其中

所述電阻變化器件具有第一電極、第二電極以及置于所述第一電極與所述第二電極之間的電阻變化層，

所述第一電極的材料與所述第二電極的材料不同，以及

所述第二電極的材料包括選自包括W的氮化物、Ti的氮化物和Ta的氮化物的組中的一種材料，

所述成形方法包括：

第一成形處理，以及

要接續所述第一成形處理執行的第二成形處理，

其中所述第一成形處理包括施加電壓使得所述第一電極的電位高于所述第二電極的電位，以及

其中所述第二成形處理包括施加電壓使得所述第二電極的電位高于所述第一電極的電位，

其中所述第一電極的氧化物形成自由能低于所述第二電極的氧化物形成自由能。

7.根據權利要求6所述的成形方法，其中

所述第一成形處理還包括施加電壓使得所述第二電極的電位高于所述第一電極的電位。