[發明專利]信號處理裝置、信號處理方法、液晶裝置以及電子設備

有效

• 申請號: 201310240757.3
• 申請日: 2013-06-18
• 公開（公告）號: CN103514849B
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 若林淳一;西村陽彥;飯坂英仁
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: G09G3/36
• 分類號: G09G3/36
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 萬利軍,陳海紅

1.一種信號處理裝置，其特征在于，

包括：

檢測部，其基于對施加于多個像素的各個的電壓進行控制的信號，檢測第1像素與第2像素的邊界，所述第1像素與施加第1電壓的第1信號相對應，所述第2像素與所述第1像素相鄰，與施加第2電壓的第2信號相對應，所述第2電壓與所述第1電壓的電位差為產生向錯的閾值以上；和

校正部，其將所述第1信號校正為施加比所述第1電壓高的第3電壓的第3信號，將所述第2信號校正為施加比所述第2電壓高的第4電壓的第4信號；

所述第2電壓比所述第1電壓高；

所述第4電壓比所述第3電壓高；

所述第1電壓與所述第3電壓的電位差比所述第2電壓與所述第4電壓的電位差大。

2.如權利要求1所述的信號處理裝置，其特征在于，

所述檢測部，檢測所述第1像素與所述第2像素的邊界中的下述邊界：

比較將基于所述第1信號的所述第1電壓施加于所述第1像素且將基于所述第2信號的所述第2電壓施加于所述第2像素的情況下的所述第1像素和所述第2像素的透射率的第1積分值、與將基于所述第1信號的所述第1電壓施加于所述第2像素且將基于所述第2信號的所述第2電壓施加于所述第1像素的情況下的所述第2像素和所述第1像素的透射率的第2積分值，所述第1積分值比所述第2積分值小的邊界。

3.如權利要求1所述的信號處理裝置，其特征在于，

所述檢測部，檢測所述第1像素與所述第2像素的邊界中的下述邊界：

比較將基于所述第1信號的所述第1電壓施加于所述第1像素并將基于所述第2信號的所述第2電壓施加于所述第2像素的情況下的所述第1像素和所述第2像素的透射率的積分值、與將基于所述第1信號的所述第1電壓施加于所述第1像素和所述第2像素的情況下的第1透射率和將基于所述第2信號的所述第2電壓施加于所述第1像素和所述第2像素的情況下的第2透射率的平均值，所述積分值比所述平均值小的邊界。

4.一種信號處理方法，其特征在于，

在液晶裝置中對施加于多個像素的各個的電壓進行處理，所述液晶裝置包括：設置有多個像素電極的第1基板、設置有與所述多個像素電極相對應的共用電極的第2基板和被夾持于所述多個像素電極與所述共用電極之間的液晶，具備所述多個像素，該像素包括所述多個像素電極中的一個、所述液晶以及所述共用電極，

該信號處理方法包括：

基于對施加于所述多個像素的各個的電壓進行控制的信號檢測第1像素與第2像素的邊界的步驟，所述第1像素與施加第1電壓的第1信號相對應，所述第2像素與所述第1像素相鄰，與施加第2電壓的第2信號相對應，所述第2電壓與所述第1電壓的電位差為產生向錯的閾值以上；和

將所述第1信號校正為施加比所述第1電壓高的第3電壓的第3信號、將所述第2信號校正為施加比所述第2電壓高的第4電壓的第4信號的步驟；

所述第2電壓比所述第1電壓高；

所述第4電壓比所述第3電壓高；

所述第1電壓與所述第3電壓的電位差比所述第2電壓與所述第4電壓的電位差大。

5.一種液晶裝置，其特征在于，

具備：

設置有多個像素電極的第1基板；

設置有與所述多個像素電極相對應的共用電極的第2基板；和

被夾持于所述多個像素電極與所述共用電極之間的液晶，

具備多個像素，該像素包括所述多個像素電極中的一個、所述液晶以及所述共用電極，

該液晶裝置具備對施加于所述多個像素的各個的電壓進行處理的信號處理部，

所述信號處理部具備：

檢測部，其基于對施加于所述多個像素的各個的電壓進行控制的信號，檢測第1像素與第2像素的邊界，所述第1像素與施加第1電壓的第1信號相對應，所述第2像素與所述第1像素相鄰，與施加第2電壓的第2信號相對應，所述第2電壓與所述第1電壓的電位差為產生向錯的閾值以上；和

校正部，其將所述第1信號校正為施加比所述第1電壓高的第3電壓的第3信號，將所述第2信號校正為施加比所述第2電壓高的第4電壓的第4信號；

所述第2電壓比所述第1電壓高；

所述第4電壓比所述第3電壓高；

所述第1電壓與所述第3電壓的電位差比所述第2電壓與所述第4電壓的電位差大。

6.一種電子設備，其特征在于，具有權利要求5所述的液晶裝置。