[發明專利]一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201310240595.3
• 申請日: 2013-06-17
• 公開（公告）號: CN103337522A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 王海宏;焦峰
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77;G03F1/32;G03F7/00;G03F7/20
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1.一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板，該金屬氧化物薄膜晶體管陣列位于玻璃基板上，其特征在于，其包括：位于玻璃基板上的縱橫交錯的掃描線和數據線、由掃描線和數據線交叉限定的若干像素單元，每個像素單元包括：薄膜晶體管、有源層、以及像素電極，所述薄膜晶體管包括與掃描線一起形成的柵極、與數據線連接的源極、以及與像素電極連接的漏極，其中，有源層由金屬氧化物制成的，像素電極、源極和漏極均是由金屬氧化物通過離子注入方式使得金屬氧化物具有導電特性。

2.根據權利要求1所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述金屬氧化物為ZnO、IGZO、或IZO。

3.根據權利要求1所述的的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述掃描線和柵極的材料為Mo、Ti、Al或Cu的一種或者幾種合金。

4.根據權利要求1所述的的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板，其特征在于：所述數據線的材料為Mo、Al、Ti其中一種或者幾種合金。

5.一種金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，該金屬氧化物薄膜晶體管陣列位于玻璃基板上，其特征在于：包括如下步驟：

第一步：在玻璃基板上使用掩膜版形成第一金屬層，形成柵極、掃描線以及掃描線端子；

第二步：在形成上述第一步圖案的基礎上，使用掩膜版先制作柵極絕緣層，再在柵極絕緣層上形成數據線；

第三步：在形成上述第二步圖案的基礎上，使用掩膜版制作端子接觸孔和數據線接觸孔；

第四步：在形成上述第三步的基礎上，依次沉積金屬氧化物層和溝道保護層，最后涂布光刻膠；

第五步：在形成上述第四步的基礎上，使用半色調掩膜版或者灰色調掩膜版對上述成膜進行曝光，該半色調掩膜版或者灰色調掩膜版在預定的有源層處為不透光區域，在預定的像素區域、預定的源漏極、以及端子接觸孔為半透光區域，其他區域為全透光區域，通過半色調掩膜版或者灰色調掩膜版，將全透光區域上方的金屬氧化物層、溝道保護層和光刻膠全部刻蝕掉，露出掃描線和數據線，并形成像素區域和源漏極的形狀；將半透光區域的光刻膠刻蝕薄了一些；柵極上方的金屬氧化物層、溝道保護層和光刻膠沒有變化；

第六步：在形成上述第五步的基礎上，對殘留的光刻膠進行灰化處理，直到半透光區域露出溝道保護層時停止；而不透光區域上仍殘留有部分光刻膠；

第七步：在形成上述第六步的基礎上，先蝕掉半透光區域露出部分的溝道保護層，半透光區域上方存在金屬氧化物層；再剝離半透光區域留下的光刻膠，不透光區域上方只存在溝道保護層，且剩余的溝道保護層下方的金屬氧化物就是有源層；

第八步：在形成上述第七步圖案的基礎上，對金屬氧化物層進行離子注入，即：使得像素區域、源漏極、以及端子接觸孔內的金屬氧化物具有導電特性，形成完整的像素區域、源極、漏極、以及端子接觸孔，完成后退火處理。

6.根據權利要求5所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，其特征在于：所述金屬氧化物為ZnO、IGZO、或IZO。

7.根據權利要求5所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，其特征在于：所述掃描線、柵極、數據線的材料為Mo、Ti、Al或Cu的一種或者幾種合金。

8.根據權利要求5或7所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，其特征在于：所述掃描線、柵極、數據線的膜厚為

9.根據權利要求5所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，其特征在于：所述柵極絕緣層和溝道保護層的材料為SiO₂、SiNx或者Al₂O₃。

10.根據權利要求5所述的金屬氧化物薄膜晶體管陣列基板及其制造方法，其特征在于：所述數據線接觸孔和端子接觸孔為矩形或者圓形。