[發明專利]針對單粒子效應進行加固的開關電容緩沖器電路

有效

• 申請號: 201310240509.9
• 申請日: 2013-06-17
• 公開（公告）號: CN103346776A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 姚素英;李淵清;徐江濤;史再峰;高靜
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 劉國威

1.一種針對單粒子效應進行加固的開關電容緩沖器電路，其特征是，由采樣開關S1、S2，采樣電容C1、C2，第一比較器和第二比較器，驅動輸出的運放，冗余部分以及一個二輸入與非門NAND2和一個反相器INV組成；其中輸入信號Vin通過開關S1和S2分別連接至電容C1和C2的上極板，C1和C2的下極板接地；C1和C2的上極板同時分別連接至N型MOS晶體管M5和M12的柵極；C1的上極板分別連接至比較器1的正端和比較器2的負端；比較器1的負端連接至參考電平V1，比較器2的正端連接至參考電平V2；比較器1和比較器2的輸出驅動NAND2；NAND2的輸出驅動反相器INV；P型MOS晶體管M1和M2的源端接電源，漏端分別與P型晶體管M3和M4的源端相連；M3和M4的漏端分別于N型晶體管M5和M6的漏端相連；M5和M6的源端分別于N型晶體管M7和M8的漏端相連；M7和M8的源端相連，并共同連接至電流大小為I_SS的尾電流源；P型晶體管M9的源端連接至電源，漏端連接至P型晶體管M11的源端；M11的漏端與P型晶體管M10的漏端相連，并共同連接至N型晶體管M12的漏端；M12的源端連接至N型晶體管M13與M14的漏端，M13的源端連接至電流大小為I_SS/2的尾電流源；M14的源端與M8的源端相連；M1和M2的柵端相連并連接至M1的漏端，同時連接至M10的源端；NAND2的輸出驅動M3、M14和M11的柵端；INV的輸出驅動M7、M10和M13的柵端；M4的柵端接地，M6的柵端和漏端相連構成輸出Vout；M8的柵連電源；M9的柵端和漏端相連。

2.根據權利要求1所述的針對單粒子效應進行加固的開關電容緩沖器電路，針對單粒子效應進行加固的開關電容緩沖器電路的采樣開關S1和S2在芯片版圖上的相互距離設置為盡可能長。