[發明專利]一種低噪聲非晶硅非制冷紅外探測器通用偏壓裝置

無效

• 申請號: 201310239926.1
• 申請日: 2013-06-17
• 公開（公告）號: CN103308179A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 王建超;毛貴超
• 申請（專利權）人: 中國航天科工集團第三研究院第八三五八研究所
• 主分類號: G01J5/02
• 分類號: G01J5/02
• 代理公司: 核工業專利中心 11007
• 代理人: 高尚梅;包海燕

1.一種低噪聲非晶硅非制冷紅外探測器通用偏壓裝置，包括數字-模擬轉換設備、參考電壓源和超低噪聲濾波放大設備，其特征在于：參考電壓源為數字-模擬轉換設備提供高精度參考電壓，數字-模擬轉換設備輸出電壓經超低噪聲濾波放大設備輸出四路偏置電壓，所述四路偏置電壓分別輸入至非晶硅非制冷紅外探測器的GSK、VSK、GFID和VBUS接口。

2.根據權利要求1所述的低噪聲非晶硅非制冷紅外探測器通用偏壓裝置，其特征在于：所述數字-模擬轉換設備采用在0.1—10Hz頻率范圍內的輸出噪聲峰峰值小于15μV的14位高精度四路輸出DA芯片。

3.根據權利要求1或2所述的低噪聲非晶硅非制冷紅外探測器通用偏壓裝置，其特征在于：所述參考電壓源輸出電壓為2.5V。

4.根據權利要求1或2所述的低噪聲非晶硅非制冷紅外探測器通用偏壓裝置，其特征在于：所述超低噪聲濾波放大設備中的運放在0.1—10Hz頻率范圍內噪聲峰值小于0.25μV；對輸出至GSK、VBUS、GFID、VSK的偏置電壓放大倍數依次為2、2、3、3。