[發明專利]用于流水線型模數轉換器的模擬參考電平緩沖器

有效

• 申請號: 201310239740.6
• 申請日: 2013-06-17
• 公開（公告）號: CN104242937B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: 朱紅衛;趙郁煒
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H03M1/12
• 分類號: H03M1/12
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種用于流水線型模數轉換器的模擬參考電平緩沖器，流水線型模數轉換器的子模數轉換器的輸出電平包括3個模擬參考電平，第一模擬參考電平為高電平，第二模擬參考電平為共模電平，第三模擬參考電平為低電平，所述第一模擬參考電平大于所述第二模擬參考電平，所述第二模擬參考電平大于所述第三模擬參考電平；其特征在于：模擬參考電平緩沖器包括第一緩沖器、第二緩沖器和第三緩沖器；

所述第一緩沖器用于為所述第一模擬參考電平提供緩沖并提高所述第一模擬參考電平的驅動能力，所述第一緩沖器包括第一折疊式共源共柵放大器和第一源極跟隨器；所述第一折疊式共源共柵放大器包括：

由第一NMOS管和第二NMOS管組成的共源輸入管，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源極連接并接一電流源，所述第一NMOS管的柵極接所述第一模擬參考電平；

由第一PMOS管和第二PMOS管組成的共柵放大管，所述第一PMOS管的源極連接所述第一NMOS管的漏極，所述第二PMOS管的源極連接所述第二NMOS管的漏極，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的柵極接相同偏置電壓，所述第二PMOS管的漏極為所述第一折疊式共源共柵放大器的輸出端，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源極都分別連接電流源、漏極都分別連接有源負載；

所述第一源極跟隨器包括第三PMOS管，所述第三PMOS管的柵極連接所述第二PMOS管的漏極，所述第三PMOS管的源極作為所述第一緩沖器的輸出端并輸出所述第一模擬參考電平緩沖信號，所述第三PMOS管的源極還反饋連接到所述第二NMOS管的柵極，所述第三PMOS管的源極連接一電流源，所述第三PMOS管的漏極接地；

所述第二緩沖器用于為所述第二模擬參考電平提供緩沖并提高所述第二模擬參考電平的驅動能力，所述第二緩沖器包括第二折疊式共源共柵放大器和第二源極跟隨器；所述第二折疊式共源共柵放大器包括：

由第三NMOS管和第四NMOS管組成的共源輸入管，所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的源極連接并接一電流源，所述第三NMOS管的柵極接所述第二模擬參考電平；

由第四PMOS管和第五PMOS管組成的共柵放大管，所述第四PMOS管的源極連接所述第三NMOS管的漏極，所述第五PMOS管的源極連接所述第四NMOS管的漏極，所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的柵極接相同偏置電壓，所述第五PMOS管的漏極為所述第二折疊式共源共柵放大器的輸出端，所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的源極都分別連接電流源、漏極都分別連接有源負載；

所述第二源極跟隨器包括第五NMOS管，所述第五NMOS管的柵極連接所述第五PMOS管的漏極，所述第五NMOS管的源極作為所述第二緩沖器的輸出端并輸出所述第二模擬參考電平緩沖信號，所述第五NMOS管的源極還反饋連接到所述第四NMOS管的柵極，所述第五NMOS管的源極連接一電流源，所述第五NMOS管的漏極接電源電壓；

所述第三緩沖器用于為所述第三模擬參考電平提供緩沖并提高所述第三模擬參考電平的驅動能力，所述第三緩沖器包括第三折疊式共源共柵放大器和第三源極跟隨器；所述第三折疊式共源共柵放大器包括：

由第六PMOS管和第七PMOS管組成的共源輸入管，所述第六PMOS管和所述第七PMOS管的源極連接并接一電流源，所述第六PMOS管的柵極接所述第三模擬參考電平；

由第六NMOS管和第七NMOS管組成的共柵放大管，所述第六NMOS管的源極連接所述第六PMOS管的漏極，所述第七NMOS管的源極連接所述第七PMOS管的漏極，所述第六NMOS管和所述第七NMOS管的柵極接相同偏置電壓，所述第七NMOS管的漏極為所述第三折疊式共源共柵放大器的輸出端，所述第六NMOS管和所述第七NMOS管的源極都分別連接電流源、漏極都分別連接有源負載；

所述第三源極跟隨器包括第八NMOS管和第九NMOS管，所述第八NMOS管的柵極連接所述第七NMOS管的漏極，所述第八NMOS管的源極作為所述第三緩沖器的輸出端并輸出所述第三模擬參考電平緩沖信號，所述第八NMOS管的源極還反饋連接到所述第七PMOS管的柵極，所述第八NMOS管的源極連接一電流源，所述第八NMOS管的漏極連接所述第九NMOS管的源極，所述第九NMOS管的漏極接電源電壓、柵極通過一電阻接電源電壓。