[發明專利]一種制作半導體器件的方法

在審

• 申請號: 201310239431.9
• 申請日: 2013-06-17
• 公開（公告）號: CN104241109A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發明（設計）人: 韓秋華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種制作半導體器件的方法，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體上依次形成柵氧化層和虛擬柵極；

在所述柵氧化層和所述虛擬柵極的兩側形成柵極間隙壁；

在所述虛擬柵極、所述柵極間隙壁和所述半導體襯底上形成接觸孔刻蝕停止層；

在所述接觸孔刻蝕停止層上形成層間介電層；

執行平坦化工藝，以露出所述虛擬柵極、所述柵極間隙壁和所述接觸孔刻蝕停止層；

對露出的所述柵極間隙壁、所述接觸孔刻蝕停止層和所述層間介電層進行碳注入。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用全面碳注入工藝執行所述碳注入步驟。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，碳注入的離子束能量為10KV～50KV。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，碳注入的離子劑量為1e¹⁴～1e²⁰原子/cm²。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在碳注入之后去除所述虛擬柵極的步驟。

6.如權利要求5所述的方法，其特征在于，還包括在去除所述虛擬柵極之后去除所述柵氧化層以形成第一溝槽的步驟。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，采用稀釋的氫氟酸去除所述柵氧化層。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，還包括在去除所述柵氧化層之后在所述第一溝槽的底部形成界面層以形成第二溝槽的步驟。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，還包括在所述形成界面層之后在所述第二溝槽中填充高k介質層和金屬柵極的步驟。