[發(fā)明專利]可調(diào)節(jié)閾值電壓的靜態(tài)隨機(jī)存儲器晶體管單元制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310239351.3
• 申請日: 2013-06-17
• 公開（公告）號: CN103337482A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 任錚
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號: H01L21/8244
• 分類號: H01L21/8244;H01L21/336;H01L21/027
• 代理公司: 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種可調(diào)節(jié)閾值電壓的靜態(tài)隨機(jī)存儲器晶體管單元制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S01，提供靜態(tài)隨機(jī)存儲器的晶體管單元，該晶體管單元的襯底上具有多晶硅柵層；

步驟S02，在該晶體管單元上涂布光刻膠層；

步驟S03，圖形化該光刻膠層，形成暴露出多晶硅柵層及其周圍襯底待環(huán)狀注入?yún)^(qū)域的開口，該開口的側(cè)壁是傾斜的，且該開口側(cè)壁與開口底部襯底的待環(huán)狀注入?yún)^(qū)域表面的夾角為鈍角；

步驟S04，對該開口底部的襯底進(jìn)行離子環(huán)狀注入。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)節(jié)閾值電壓的靜態(tài)隨機(jī)存儲器晶體管單元制造方法，其特征在于，步驟S03包括：

步驟S031，將涂布光刻膠層后的襯底置于曝光設(shè)備中；

步驟S032，遠(yuǎn)離最佳曝光位置來對該光刻膠層進(jìn)行曝光；

步驟S033，對曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影；

步驟S034，對顯影后的光刻膠層進(jìn)行烘烤。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可調(diào)節(jié)閾值電壓的靜態(tài)隨機(jī)存儲器晶體管單元制造方法，其特征在于：步驟S032包括：調(diào)節(jié)曝光的焦距或曝光設(shè)備成像鏡頭與晶體管單元表面光刻膠層的距離，使該光刻膠層表面遠(yuǎn)離曝光設(shè)備的最佳聚焦平面來進(jìn)行曝光。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的可調(diào)節(jié)閾值電壓的靜態(tài)隨機(jī)存儲器晶體管單元制造方法，其特征在于：步驟S034包括：調(diào)節(jié)烘烤的溫度，使烘烤溫度大于形成垂直側(cè)壁時的烘烤溫度來進(jìn)行烘烤。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可調(diào)節(jié)閾值電壓的靜態(tài)隨機(jī)存儲器晶體管單元制造方法，其特征在于：該開口側(cè)壁與開口底部襯底的待環(huán)狀注入?yún)^(qū)域表面的夾角為90至120°。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可調(diào)節(jié)閾值電壓的靜態(tài)隨機(jī)存儲器晶體管單元制造方法，其特征在于：該開口側(cè)壁與環(huán)狀注入方向的夾角為0至15°。