[發明專利]形成黑色三價氧化鉻鍍層的電化學方法及其黑色三價氧化鉻鍍層有效
| 申請號： | 201310239181.9 | 申請日： | 2013-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN103510131A | 公開（公告）日： | 2014-01-15 |
| 發明（設計）人： | 葛明德;白清源;呂承恩;吳亞竹;吳柏范 | 申請（專利權）人： | 張益誠 |
| 主分類號： | C25D3/06 | 分類號： | C25D3/06;C25D3/08 |
| 代理公司： | 北京科龍寰宇知識產權代理有限責任公司 11139 | 代理人： | 孫皓晨;丁金玲 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 形成 黑色 氧化鉻 鍍層 電化學 方法 及其 | ||
1.一種黑色三價氧化鉻鍍層的電化學方法，包含下列步驟：
提供一基板，所述的基板表面至少包含有一導電層；
以所述的基板為陰極，并浸入于一三價鉻電鍍液中；
以電化學方式于一電鍍溫度條件與一電流密度條件下進行電鍍，于所述的基板上形成一黑色三價氧化鉻鍍層；
其中，所述的三價鉻電鍍液至少包含：一三價鉻鹽、一黑化劑、一共沉積劑、一錯合劑及一pH調節劑所形成的水溶液；
其中，所述的三價鉻鹽選用硫酸系三價鉻鹽、氯酸系三價鉻鹽或其它酸系三價鉻鹽等的水溶性鹽之一；
其中，所述的黑化劑選用氟硅酸或其鹽類、硝酸或其鹽類之一或其組合；
其中，所述的共沉積劑選用無機酸鈷鹽；
其中，所述的錯合劑選用磷酸鹽、次磷酸鹽或磷酸二氫鹽之一或其組合；
其中，所述的pH調節劑選用無機酸鹽；
配成的所述的三價鉻電鍍液的三價鉻(Cr+3)與所述的共沉積劑的鈷(Co+2)每升摩爾比值為1:1至1:15之間；
所形成的所述的黑色三價氧化鉻鍍層是由鉻元素、氧元素、氫元素、鈷元素與磷元素所組成，為非晶相結構，且披覆在所述的基板的所述的導電層表面；
其中，所述的黑色三價氧化鉻鍍層的黑化度的灰階值為45%以下。
2.如權利要求1所述形成黑色三價氧化鉻鍍層的電化學方法，進一步包含一消除應力步驟，所述的消除應力步驟為將電鍍形成的所述的黑色三價氧化鉻鍍層的所述的基板，置入一真空或填充鈍氣烘箱中，以一消除應力溫度條件進行烘烤；其中所述的消除應力溫度條件為250℃(含)以上。
3.如權利要求1所述形成黑色三價氧化鉻鍍層的電化學方法，進一步包含一增加表面硬度步驟，所述的增加表面硬度步驟為將電鍍形成的所述的黑色三價氧化鉻鍍層的所述的基板置入一火焰中，以外焰端1200℃以上的火焰于所述的黑色三價氧化鉻鍍層加熱至少0.5秒。
4.如權利要求1所述形成黑色三價氧化鉻鍍層的電化學方法，其中，所述的黑化劑選自于氟硅酸(H2SiF6)、硝酸(HNO3)、硝酸鈉(NaNO3)、硝酸鉀(KNO3)之一或其組合，添加所述的黑化劑總量濃度為介于0.05與0.3M之間；所述的錯合劑選自于磷酸鈉(Na3PO4)、次磷酸鈉(NaH2PO2·H2O)或磷酸二氫鈉(NaH2PO4·H2O)之一或其組合，添加所述的錯合劑總量濃度為介于2與4M之間；所述的共沉積劑選自于硫酸鈷(CoSO4·7H2O)、硝酸鈷(Co(NO3)2·6H2O)、氯化鈷(CoCl2·6H2O)之一或其組合，添加所述的共沉積劑總量濃度為介于0.2與1.5M之間；所述的pH調節劑選自于硼酸、硼酸鹽、氯鹽、溴鹽、銨鹽之一或其組合，添加所述的pH調節劑總量濃度為介于0.1與0.8M之間。
5.如權利要求4所述形成黑色三價氧化鉻鍍層的電化學方法，其中，當所述的三價鉻鹽選用所述的氯酸系三價鉻鹽時，為選用氯化鉻(CrCl3·6H2O)；所述的pH調節劑為選自于硼酸(H3BO3)、硫酸銨((NH4)2SO4)、氯化銨(NH4Cl)或溴化銨(NH4Br)之一或其組合；當所述的三價鉻鹽選用所述的硫酸系三價鉻鹽時，為選用硫酸鉻(Cr2(SO4)3)；所述的pH調節劑為選自于硼酸或硫酸銨之一。
6.如權利要求1所述形成黑色三價氧化鉻鍍層的電化學方法，其中，所述的電流密度條件范圍為10A/dm2至50A/dm2之間；其中，所述的電鍍溫度條件為操作時的電鍍溫度變化量為±3℃以內。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于張益誠，未經張益誠許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310239181.9/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
