[發明專利]用于光學和電子器件的多層復合陶瓷層圖案化結構基板

有效

• 申請號: 201310238613.4
• 申請日: 2013-06-17
• 公開（公告）號: CN103354222A
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: 高鞠
• 申請（專利權）人: 蘇州晶品光電科技有限公司
• 主分類號: H01L23/15
• 分類號: H01L23/15;H05K3/02
• 代理公司: 北京科億知識產權代理事務所(普通合伙) 11350
• 代理人: 湯東鳳

1.一種用于光學和電子器件的多層復合陶瓷層圖案化結構基板，包括金屬基體，其特征在于在所述金屬基體上依次形成有耐壓陶瓷層和高導熱陶瓷層；所述耐壓陶瓷層和高導熱陶瓷層之間具有活性釬焊層，并且通過掩模對所述高導熱陶瓷層以及活性釬焊層進行選擇性蝕刻形成多個隔離基座；在所述隔離基座上形成有金屬電路層。

2.根據權利要求1所述的用于光學和電子器件的多層復合陶瓷層圖案化結構基板，其特征在于所述耐壓陶瓷層的厚度為10-500?um；所述耐壓陶瓷層選自氧化鋁，氮氧化鋁或碳化硅中的一種或幾種。

3.根據權利要求1或2所述的用于光學和電子器件的多層復合陶瓷層圖案化結構基板，其特征在于所述耐壓陶瓷層通過濺射、蒸鍍、電弧沉積、化學氣相沉積或等離子增強化學氣相沉積法制備得到。

4.根據權利要求1所述的用于光學和電子器件的多層復合陶瓷層圖案化結構基板，其特征在于所述高導熱陶瓷層的厚度為10-500?um；并且所述高導熱陶瓷層為AlN、?AlON或SiN。

5.根據權利要求4所述的用于光學和電子器件的多層復合陶瓷層圖案化結構基板，其特征在于所述高導熱陶瓷層通過粉末燒結法制備得到。

6.根據權利要求1所述的用于光學和電子器件的多層復合陶瓷層圖案化結構基板，其特征在于所述金屬基體與耐壓陶瓷層之間具有過渡層。

7.根據權利要求7所述的用于光學和電子器件的多層復合陶瓷層圖案化結構基板，其特征在于所述過渡層通過濺射、蒸鍍、電弧沉積、化學氣相沉積或等離子增強化學氣相沉積法制備得到。

8.根據權利要求1所述的用于光學和電子器件的多層復合陶瓷層圖案化結構基板，其特征在于所述活性釬焊層使用的釬料含有0.5-0.8wt%的Ag、0.8-1.0?wt%的In、2.1-2.5?wt%的Ti、1.2-1.5?wt%的Si、5.2-7.2?wt%的Sn、2.7-3.2?wt%的Al、0.65-0.95wt%的Mn、1.8-2.1wt%的Ni、0.5-0.7wt%的Ce、0.1-0.2wt%的B和余量的Cu。

9.根據權利要求1或2所述的多陶瓷層印刷線路板，其特征在于所述金屬電路層通過濺射、蒸鍍、電弧沉積、化學氣相沉積或等離子增強化學氣相沉積金屬層，并通過干蝕刻得到所述金屬電路層；或者通過直接印刷金屬漿料并燒結的方式制成。