[發(fā)明專利]高可靠性SMD LED封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310238506.1 | 申請日： | 2013-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN103354269A | 公開（公告）日： | 2013-10-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 高鞠 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州晶品光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/62 | 分類號： | H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京科億知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 湯東鳳 |
| 地址： | 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 可靠性 smd led 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種高可靠性SMD?LED封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬基體，其特征在于在所述金屬基體上形成有耐壓陶瓷層，并且在所述耐壓陶瓷層上形成有金屬電路層和高導(dǎo)熱陶瓷層；而在所述金屬電路層和高導(dǎo)熱陶瓷層上設(shè)置有SMD?LED?燈珠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高可靠性SMD?LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述高導(dǎo)熱陶瓷層的厚度為10-500?um；并且所述高導(dǎo)熱陶瓷層為AlN、?AlON或SiN。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高可靠性SMD?LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述耐壓陶瓷層的厚度為10-500?um；并且所述耐壓陶瓷層為Al2O3、AlON或SiC。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的高可靠性SMD?LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述高導(dǎo)熱陶瓷層通過粉末燒結(jié)法形成，并利用釬焊接合到所述耐壓陶瓷層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的高可靠性SMD?LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述釬焊使用的釬料含有0.5-0.8wt%的Ag、0.8-1.0?wt%的In、2.1-2.5?wt%的Ti、1.2-1.5?wt%的Si、5.2-7.2?wt%的Sn、2.7-3.2?wt%的Al、0.65-0.95wt%的Mn、1.8-2.1wt%的Ni、0.5-0.7wt%的Ce、0.1-0.2wt%的B和余量的Cu。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的高可靠性SMD?LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述耐壓陶瓷層通過濺射、蒸鍍、電弧沉積、化學(xué)氣相沉積或等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備得到。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高可靠性SMD?LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述耐壓陶瓷層與所述金屬基體之間還具有過渡層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高可靠性SMD?LED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述金屬電路層通過濺射、蒸鍍、電弧沉積、化學(xué)氣相沉積或等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積金屬層，并通過干蝕刻得到所述金屬電路層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多陶瓷層印刷線路板，其特征在于所述金屬電路層通過直接印刷金屬漿料并燒結(jié)的方式制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多陶瓷層印刷線路板，其特征在于金屬電路層和高導(dǎo)熱陶瓷層形成金屬和高導(dǎo)熱陶瓷雜化層。
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