[發明專利]半導體器件和使用該半導體器件的系統

有效

• 申請號: 201310237789.8
• 申請日: 2013-06-17
• 公開（公告）號: CN103516338B
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 金澤孝光;秋山悟
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H03K17/567
• 分類號: H03K17/567;H03K17/687
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 高科

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

一對端子；

常斷型的硅晶體管，設置有柵極、源極和漏極；和

常通型的化合物晶體管，設置有柵極、源極和漏極，其源極到漏極路徑經由所述硅晶體管的源極到漏極路徑連接在所述一對端子之間，

其中，所述硅晶體管和所述化合物晶體管被一個輸入信號驅動，以使得具有兩個晶體管都處于截止狀態的期間，以及

在所述一對端子設置為非導通時，所述半導體器件被驅動成：在把所述硅晶體管設置為截止狀態之前，把所述化合物晶體管設置為截止狀態。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

所述硅晶體管是MOSFET，所述化合物晶體管是化合物結FET。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于：

所述化合物結FET是SiCJFET。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于：

在所述一對端子設置為導通時，所述半導體器件被驅動成：在把所述化合物晶體管設置為導通狀態之前，把所述硅晶體管設置為導通狀態。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于：

所述化合物晶體管和所述硅晶體管被密封在一個封裝中；

所述硅晶體管的柵極連接到從所述封裝突出的第1引線；

所述硅晶體管的源極連接到從所述封裝突出的第2引線；

所述化合物晶體管的柵極連接到從所述封裝突出的第3引線；

所述化合物晶體管的漏極連接到從所述封裝突出的第4引線。

6.一種使用半導體器件的系統，其特征在于，包括：

負荷裝置；以及

第1和第2半導體器件，分別與所述負荷裝置連接，

所述第1和第2半導體器件分別包括：

一對端子；

常斷型的硅晶體管，設置有柵極、源極和漏極；和

常通型的化合物晶體管，設置有柵極、源極和漏極，其源極到漏極路徑經由所述硅晶體管的源極到漏極路徑連接在所述一對端子之間，

其中，所述第1半導體器件中的所述一對端子中的一個端子與所述負荷裝置連接，所述第2半導體器件中的所述一對端子中的另一個端子與所述負荷裝置連接，

所述第1和第2半導體器件各自的所述硅晶體管和所述化合物晶體管被驅動為具有兩個晶體管都處于截止狀態的期間，以及

在所述一對端子設置為非導通時，所述半導體器件被驅動成：在把所述硅晶體管設置為截止狀態之前，把所述化合物晶體管設置為截止狀態。

7.如權利要求6所述的系統，其特征在于：

在所述第1半導體器件中的所述硅晶體管和所述化合物晶體管中的一個設置為導通狀態時，所述第2半導體器件中的所述硅晶體管和所述化合物晶體管設置為截止狀態。

8.如權利要求7所述的系統，其特征在于：

所述負荷裝置包含馬達。

9.如權利要求7所述的系統，其特征在于：

所述負荷裝置包含線圈。

10.一種使用半導體器件的系統，其特征在于，包括：

負荷裝置；

變換器電路，與所述負荷裝置連接；以及

控制電路，能夠控制成向所述變換器電路供給驅動信號，

所述變換器電路包括：

一對端子；

常斷型的硅晶體管，設置有柵極、源極和漏極；和

常通型的化合物晶體管，設置有柵極、源極和漏極，其源極到漏極路徑經由所述硅晶體管的源極到漏極路徑連接在所述一對端子之間，

其中，所述控制電路響應于一個輸入信號，生成要向所述硅晶體管的柵極供給的第1控制信號和要向所述化合物晶體管的柵極供給的第2控制信號，把所述硅晶體管和所述化合物晶體管控制成具有兩個晶體管都處于截止狀態的期間，以及

在所述一對端子設置為非導通時，所述半導體器件被驅動成：在把所述硅晶體管設置為截止狀態之前，把所述化合物晶體管設置為截止狀態。