[發明專利]環形壓敏電阻器瓷料、制備方法與環形壓敏電阻器及其制備方法

有效

• 申請號: 201310237747.4
• 申請日: 2013-06-14
• 公開（公告）號: CN103319172A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 梁戈仁;鄧佩佳;黃月霞;梁俊杰
• 申請（專利權）人: 廣東風華高新科技股份有限公司
• 主分類號: C04B35/472
• 分類號: C04B35/472;C04B35/622
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種環形壓敏電阻器瓷料，其特征在于，按摩爾百分比計，包括：

鈦酸鍶??????????30～50mol%；

鈦酸鈣??????????15～35mol%；

鈦酸鉛??????????20～40mol%；

五氧化二鈮??????1～3mol%；

氧化鑭??????????0.1～1mol%；

三氧化二鈷??????0.1～1.5mol%；及

二氧化鈦????????1～4mol%。

2.根據權利要求1所述的環形壓敏電阻器瓷料，其特征在于，按摩爾百分比計，包括：

鈦酸鍶?????????????50mol%；

鈦酸鈣?????????????25mol%；

鈦酸鉛?????????????20mol%；

五氧化二鈮?????????3mol%；

氧化鑭?????????????0.5mol%；

三氧化二鈷?????????0.5mol%；及

二氧化鈦???????????1mol%。

3.一種環形壓敏電阻器瓷料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

將鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鉛、五氧化二鈮、氧化鑭、三氧化二鈷及二氧化鈦進行混合得到混合物，所述混合物中，按摩爾百分比計，所述鈦酸鍶占30～50mol%、所述鈦酸鈣占15～35mol%、所述鈦酸鉛占20～40mol%、所述五氧化二鈮占1～3mol%、所述氧化鑭占0.1～1mol%、所述三氧化二鈷占0.1～1.5mol%、所述二氧化鈦占1～4mol%；

按質量比1:1將所述混合物和去離子水進行混合，持續混合18～30小時后得到漿料，將所述料漿進行研磨，向所述研磨后的漿料加入聚乙烯醇膠水，攪拌均勻后，對所述漿料和聚乙烯醇膠水的混合物進行噴霧造粒，得到環形壓敏電阻器瓷料，其中所述漿料和聚乙烯醇膠水的質量比為5:1。

4.根據權利要求3所述的環形壓敏電阻器瓷料的制備方法，其特征在于，所述對所述料漿進行研磨，向所述研磨后的漿料加入聚乙烯醇膠水的步驟中，對所述料漿進行研磨使所述漿料的粒度D50值小于或等于1微米，然后按質量比5:1向所述研磨后的漿料加入聚乙烯醇膠水。

5.一種環形壓敏電阻器，包括環形壓敏電阻基片及間隔設置于所述環形壓敏電阻基片的一個底面上的三個正面電極或間隔設置于所述環形壓敏電阻基片的側面上的三個側面電極，其特征在于，所述環形壓敏電阻基片由權利要求1或2所述的環形壓敏電阻器瓷料制成。

6.一種環形壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供如權利要求1或2所述的環形壓敏電阻器瓷料，將所述環形壓敏電阻器瓷料壓制形成環形陶瓷生坯；

在還原氣氛中，將所述環形陶瓷生坯于1300～1450℃下燒結2～6小時，得到環形陶瓷片，然后在空氣環境中，將所述環形陶瓷片于800～1000℃保溫2～5小時，得到環形壓敏電阻基片；

在所述環形壓敏電阻基片的一個底面上或側面上涂覆電極漿料，將電極漿料烘干后，在保護氣體氛圍中，將所述涂覆有電極漿料的環形壓敏電阻基片于810～900℃下燒滲0.5～1.5小時，形成間隔設置于所述環形壓敏電阻基片的一個底面上的三個正面電極或間隔設置于所述環形壓敏電阻基片的側面上的三個側面電極，得到環形壓敏電阻器。

7.根據權利要求6所述的環形壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，將所述環形壓敏電阻器瓷料壓制形成環形陶瓷體的步驟具體為：采用干壓成型工藝將如權利要求1或2所述的環形壓敏電阻器瓷料壓制成環形陶瓷粗坯，然后對所述環形陶瓷粗坯進行排膠，得到環形陶瓷生坯。

8.根據權利要求7所述的環形壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，所述環形陶瓷粗坯的密度為3.25～3.45g/cm³。

9.根據權利要求7所述的環形壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，所述排膠的溫度為550～590℃，排膠周期為20～30小時。

10.根據權利要求6所述的環形壓敏電阻器的制備方法，其特征在于，所述還原氣氛為氮氣和氫氣的混合氣氛，所述氮氣和氫氣的體積比為R，1≤R≤99。