[發明專利]一種改善熱分布集中的超大功率光電器件

在審

• 申請號: 201310237730.9
• 申請日: 2013-06-17
• 公開（公告）號: CN104241412A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發明（設計）人: 王瑋;蔡勇;張寶順
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種改善熱分布集中的超大功率光電器件，包括光電器件芯片，所述芯片的外延層包括彼此隔離的復數個單胞，該復數個單胞相互串聯或并聯，其特征在于，該復數個單胞中的至少兩個單胞相互并聯形成至少一個單胞組，并且該至少一個單胞組還與該復數個單胞中其余的一個以上單胞和/或一個以上單胞組串聯，其中，每一單胞組內的所有單胞均排布在一個矩形區域內，所述矩形區域的相對較短邊與相對較長邊的比值大于0.5，但小于或等于1。

2.根據權利要求1所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，所述芯片包括依次串聯的復數個單胞組，每一單胞組包括兩個以上并聯設置的單胞。

3.根據權利要求2所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，該復數個單胞組沿設定的折返曲線形軌跡依次串聯。

4.根據權利要求1或2所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，每一單胞組內的每一單胞的正、負極均與該單胞組的正、負極互聯金屬電連接。

5.根據權利要求2所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，任一單胞組的正、負極互聯金屬還均與相鄰單胞組的負、正極互聯金屬電連接。

6.根據權利要求2所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，位于最上游的單胞組的正極互聯金屬和最下游的單胞組的負極互聯金屬還分別與芯片的陽極壓焊區和陰極壓焊區電連接，或者，位于最上游的單胞組的負極互聯金屬和最下游的單胞組的正極互聯金屬還分別與芯片的陰極壓焊區和陽極壓焊區電連接。

7.根據權利要求2所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，它還包含轉移基片，所述芯片通過倒裝焊形式與轉移基片結合。

8.根據權利要求2或3或5或7所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，所述轉移基片上分布有復數個互聯金屬組，每一單胞組的正、負極互聯金屬分別與轉移基片上對應互聯金屬組內的正、負互聯金屬電連接，并且，每一互聯金屬組內的正、負互聯金屬還分別與相鄰互聯金屬組內的負極、正極互聯金屬電連接，

而位于最上游的互聯金屬組內的正極互聯金屬和最下游的互聯金屬組內的負極互聯金屬還分別與芯片的陽極壓焊區和陰極壓焊區電連接，或者，位于最上游的互聯金屬組內的負極互聯金屬和最下游的互聯金屬組內的正極互聯金屬還分別與芯片的陰極壓焊區和陽極壓焊區電連接。

9.根據權利要求1所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，該復數個單胞中，相鄰單胞之間的間距在1μm以上，但是在10μm以下。

10.根據權利要求2所述的改善熱分布集中的超大功率光電器件，其特征在于，該復數個單胞組排布在一個矩形區域內，所述矩形區域的相對較短邊與相對較長邊的比值大于0.5，但小于或等于1。