[發明專利]一種CdTe/PbTe異質結界面二維電子氣結構

有效

• 申請號: 201310237234.3
• 申請日: 2013-06-13
• 公開（公告）號: CN103413827A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 吳惠楨;蔡春鋒;金樹強;張兵坡
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L31/072
• 代理公司: 杭州中成專利事務所有限公司 33212
• 代理人: 唐銀益

1.一種CdTe/PbTe異質結界面二維電子氣結構，其特征在于，所述的二維電子氣結構是CdTe沿其晶體的極性面（111），（100）和（211）生長在PbTe表面上或PbTe生長在CdTe晶體的極性面（111），（100）和（211）上，其界面由于電荷轉移形成高濃度二維電子氣。

2.根據權利要求1所述的CdTe/PbTe異質結界面二維電子氣結構，其特征在于，所述的二維電子氣的電子濃度高于1×10¹⁸?cm^-3，而且載流子具有高的遷移率。

3.根據權利要求1所述的CdTe/PbTe異質結界面二維電子氣結構，其特征在于，所述的CdTe/PbTe界面二維電子氣的實現方式可以是分子束外延（MBE）或金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）或熱蒸發或電子束蒸發或近距離升華（Close?Space?Sublimation）或磁控濺射。

4.一種如權利要求1所述的CdTe/PbTe異質結界面二維電子氣結構的應用方法，其特征在于，所述的二維電子氣結構所形成的二維電子氣可應用于光電子器件、電子器件和太陽電池。

5.根據權利要求4所述的CdTe/PbTe異質結界面二維電子氣結構的應用方法，其特征在于，所述的二維電子氣可以應用于高電子遷移率晶體管（HEMT）。

6.根據權利要求4所述的CdTe/PbTe異質結界面二維電子氣結構的應用方法，其特征在于，所述的太陽電池包括CdTe太陽電池，CdS太陽電池、CuInGaSe太陽電池和CuZnSnSe太陽電池等。

7.根據權利要求4所述的CdTe/PbTe異質結界面二維電子氣結構的應用方法，其特征在于，所述的二維電子氣可以與入射的光子耦合形成表面等離子，對半導體發光產生作用。