[發明專利]倒裝芯片焊點潤濕性的判定方法及其芯片的焊接方法有效
| 申請號: | 201310237194.2 | 申請日: | 2013-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN104241154B | 公開(公告)日: | 2017-02-22 |
| 發明(設計)人: | 魏元華;王倫波;劉曉明 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤安盛科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/60;B23K1/00;B29C65/48;B29C65/82 |
| 代理公司: | 無錫互維知識產權代理有限公司32236 | 代理人: | 王愛偉 |
| 地址: | 214028 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 倒裝 芯片 潤濕 判定 方法 及其 焊接 | ||
1.一種倒裝芯片焊點潤濕性的判定方法,其特征在于,該方法步驟為:
下壓倒裝芯片與助焊劑通道底部軟接觸,使倒裝芯片上的球形凸點頂端變平;
測量球形凸點頂端扁平部直徑,獲得壓平直徑d1;
將壓平直徑d1與凸點直徑d比較,若滿足0>d1且d1<=d/2,表示該芯片的焊點潤濕性符合要求;反之,表示該芯片的焊點潤濕性不符合要求。
2.根據權利要求1所述倒裝芯片潤濕性的判定方法,其特征在于:當壓平直徑d1=0,則表示該芯片的焊點潤濕性不足;當壓平直徑d1大于凸點直徑d/2時,則表示球形凸點下壓力過大,芯片內部出現應力損壞。
3.根據權利要求1所述倒裝芯片潤濕性的判定方法,其特征在于:所述球形凸點直徑d為120微米~150微米,當測量所述壓平直徑d1為10微米~60微米時,表示該芯片的焊點潤濕性符合要求。
4.根據權利要求1所述倒裝芯片潤濕性的判定方法,其特征在于:所述測量球形凸點頂端扁平部直徑系通過測量顯微鏡測量,所述測量顯微鏡的放大倍數為50~100倍。
5.一種倒裝芯片的焊接方法,其特征在于,該方法步驟為:
制作芯片的球形凸點;
拾取倒裝芯片;
蘸助焊劑;
判斷焊點的潤濕度,挑選出合格產品進入下一工序,不合格產品則被揀出;
貼放芯片;
合格產品回流焊或熱固化;
底部充填灌膠;
待膠固化。
6.根據權利要求5所述倒裝芯片的焊接方法,其特征在于:所述判斷焊點的潤濕度的具體方法為:將倒裝芯片下壓,與助焊劑通道底部軟接觸,使倒裝芯片上的球形凸點頂端變平,測量變平的扁平部直徑,獲得壓平直徑d1;將壓平直徑d1與球形凸點直徑d比較,若滿足0>d1且d1<=d/2,表示該芯片的焊點潤濕性符合要求,為合格產品;若滿足0>d1且d1<=d/2,表示該芯片的焊點潤濕性符合要求;反之,表示該芯片的焊點潤濕性不符合要求。
7.根據權利要求6所述倒裝芯片的焊接方法,其特征在于:當壓平直徑d1=0,則表示該芯片的焊點潤濕性不足;當壓平直徑d1大于凸點直徑d/2時,則表示球形凸點下壓力過大,芯片內部出現應力損壞。
8.根據權利要求6所述倒裝芯片的焊接方法,其特征在于:所述球形凸點直徑d為120微米~150微米,所述合格產品的壓平直徑d1為10微米~60微米。
9.根據權利要求6所述倒裝芯片的焊接方法,其特征在于:所述測量球形凸點頂端扁平部直徑系通過測量顯微鏡測量,所述測量顯微鏡的放大倍數為50~100倍。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫華潤安盛科技有限公司,未經無錫華潤安盛科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310237194.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:固體的顏色穩定的L-抗壞血酸組合物
- 下一篇:基于銅球預壓平的芯片封裝方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





