[發明專利]一種在金屬基底上制作疏水表面的方法有效
| 申請號： | 201310237170.7 | 申請日： | 2013-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN103276342A | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發明（設計）人： | 胡雪蛟;黃志;章先濤;闞偉民;肖小清 | 申請（專利權）人： | 武漢大學 |
| 主分類號： | C23C8/10 | 分類號： | C23C8/10;C23C8/80 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 張火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 基底 制作 疏水 表面 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在金屬基底上制作疏水表面的方法，其特征在于，包括步驟：
步驟1，高溫氧化：于600~1000℃下氧化金屬基體至其表面形成氧化層；
步驟2，低溫冷凝：將高溫氧化后的金屬基體冷卻至室溫后，于0~5℃下進行冷凝，即可在金屬基底上獲得疏水表面。
2.如權利要求1所述的在金屬基底上制作疏水表面的方法，其特征在于：
所述的高溫氧化步驟中，采用采用酒精燈、酒精噴燈或電加熱棒對金屬基體加熱，以在金屬基體表面形成氧化層。
3.如權利要求1所述的在金屬基底上制作疏水表面的方法，其特征在于：
所述的低溫冷凝步驟中，采用半導體制冷裝置、冰袋或壓縮制冷裝置對金屬基體進行冷凝。
4.如權利要求1所述的在金屬基底上制作疏水表面的方法，其特征在于：
所述的低溫冷凝步驟具體為：
將高溫氧化后的金屬基體冷卻至室溫后，于0~5℃下反復冷凝3~5次，每次冷凝時間1~2小時，每次冷凝完成，待金屬基體溫度回至室溫后再進行下一次冷凝。
5.如權利要求1所述的在金屬基底上制作疏水表面的方法，其特征在于：
在高溫氧化基體前，對金屬基體進行打磨。
6.如權利要求1所述的在金屬基底上制作疏水表面的方法，其特征在于：
在低溫冷凝金屬基體前，清除金屬基體氧化層的表層。
7.如權利要求1所述的在金屬基底上制作疏水表面的方法，其特征在于：
所述的金屬基體為板狀、片狀、線狀或管狀。
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