[發明專利]一種N型晶體硅雙面光伏電池的制備方法

有效

• 申請號: 201310236804.7
• 申請日: 2013-06-14
• 公開（公告）號: CN103337558A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 高艷濤;揚灼堅;孫海平;邢國強
• 申請（專利權）人: 奧特斯維能源（太倉）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 劉燕嬌

1.一種N型晶體硅雙面光伏電池的制備方法，包括選取N型的硅片，并對該N型硅片進行化學清洗和制絨得到電池襯底，其特征在于，還包括以下步驟：

1）在所述電池襯底的受光面制作PN結；

2）在電池襯底的背光面形成重摻雜區；

3）在電池襯底受光面上沉積鈍化膜和減反射膜；

4）在電池襯底的背光面上沉積減反射膜；

5）制作電池的正負極。

2.根據權利要求1所述的N型晶體硅雙面光伏電池的制備方法，其特征在于，所述第1）步中使用離子注入工藝在受光面注入硼形成PN結，離子束能量在6-20KeV，離子注入量為1*10¹⁴～9*10¹⁵cm^-2，離子注入后進行退火形成方塊電阻為40～120Ω/□的區域。

3.根據權利要求1所述的N型晶體硅雙面光伏電池的制備方法，其特征在于，所述1）步中對電池襯底的受光面使用擴散工藝在800～1000℃的溫度范圍內進行硼擴散，硼擴散區域的方塊電阻為40～120Ω/□，然后去除背結、邊結和硼硅玻璃。

4.根據權利要求2或3所述的N型晶體硅雙面光伏電池的制備方法，其特征在于，所述第3）步中使用離子注入工藝在N型電池襯底的背光面注入磷源，離子束能量在8-15KeV，離子注入量為1*10¹⁵～7*10¹⁵cm^-2，然后退火形成背場。

5.根據權利要求2所述的N型晶體硅雙面光伏電池的制備方法，其特征在于，所述第3）步中在電池襯底的背光面進行磷擴散，然后去除背結、邊結和硼硅玻璃。