[發明專利]一種含本征層的雙面高效異質結電池及其制造方法無效
| 申請號: | 201310236312.8 | 申請日: | 2013-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN103346195A | 公開(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發明(設計)人: | 張東升;趙會娟 | 申請(專利權)人: | 國電光伏有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/076 | 分類號: | H01L31/076;H01L31/077;H01L31/20 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 214213 江蘇省無錫市宜興*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 雙面 高效 異質結 電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種含本征層的雙面高效異質結電池,其特征在于:該電池結構由下而上依次包括背電極(1)、第一ITO層(2)、非晶N+層(3)、第一本征層(4)、第一絨面層(5)、N型單晶硅基片(6)、第二絨面層(7)、量子點結構氮化硅層(8)、第二本征層(9)、非晶P層(10)、第二ITO層(11)和正電極(12)。?
2.根據權利要求1所述的含本征層的雙面高效異質結電池,所述第一本征層(4)和第二本征層(9)厚度為10nm。?
3.根據權利要求1所述的含本征層的雙面高效異質結電池,其特征在于:所述量子點結構氮化硅層(8)的厚度為10nm。?
4.根據權利要求1所述的含本征層的雙面高效異質結電池,其特征在于:所述第一絨面層(5)和第二絨面層(7)為金字塔絨面結構。?
5.根據權利要求4所述的含本征層的雙面高效異質結電池,其特征在于:所述金字塔絨面結構高度為4~6μm。?
6.根據權利要求1所述的含本征層的雙面高效異質結電池,其特征在于:所述第一ITO層(2)和第二ITO層(11)厚度為100nm。?
7.一種含本征層的雙面高效異質結電池的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:?
(a)在N型單晶硅基片上制備金字塔絨面結構;?
(b)采用等離子體增強化學氣相沉積技術在基片上的一側制備含有硅量子點結構的氮化硅薄膜,通入的氣體流量為NH3:800sccm,SiH4:1000sccm,基片溫度:180~200℃,等離子體的射頻功率為55W,腔體壓強為1×10-2Torr;?
(c)采用等離子體增強化學氣相沉積技術分別在電池片的正、背面鍍鈍化層,即第一本征層和第二本征層。其中通入的各氣體流量為:PH3/H2=6100sccm;SiH4=2000sccm;H2=7000sccm;壓強為0.9Torr,功率為4500W,溫度為220℃,第一本征層和第二本征層厚度為10nm;?
(d)采用等離子體增強化學氣相沉積技術在第二本征層上鍍非晶P層,通入的氣體流量為:B2H6/H2=20sccm;SiH4=1500sccm;H2=7000sccm;壓強為1Torr,功率為2000W,溫度為210℃;?
(e)采用等離子體增強化學氣相沉積技術在第一本征層上鍍非晶N+層;其中通入的各氣體流量為:PH3/H2=6100sccm;SiH4=2000sccm;H2=7000sccm;壓強為0.9Torr,功率為4500W,溫度為232℃;?
(f)采用磁控濺射技術在電池片的正、背面鍍上第一ITO層和第二ITO層;?
(g)采用絲網印刷技術在電池片的正、背面印上銀電極。?
8.根據權利要求7所述的含本征層的雙面高效異質結電池的制造方法,其特征在?于:所述步驟(a)制備金字塔結構時,所用化學溶劑為氫氧化鈉、制絨添加劑TCS和去離子水,體積比NaOH:TCS:去離子水=5.3:15:156.13。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





